屈静

作品数：4被引量：4H指数：1
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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文主题：掺杂仿真快恢复二极管IGBT关断损耗更多>>
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功率快恢复二极管反偏ESD与雪崩耐量仿真
《半导体技术》2015年第1期24-28,共5页屈静 吴郁 刘钺杨 贾云鹏 匡勇 李蕊 苏洪源 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
静电放电(ESD)失效与雪崩耐量是影响高压硅功率二极管,如功率快恢复二极管(FRD)性能及可靠性的两个主要因素。利用ISE TCAD平台,采用简明分段线性电流源,分别对功率FRD反偏ESD过程及雪崩耐量进行仿真计算,讨论二者的共性和差异。结果表...
关键词：快恢复二极管(FRD) 静电放电(ESD) 雪崩耐量 电压过冲 雪崩注入 
缓变场终止型IGBT特性的仿真被引量：2
《半导体技术》2015年第1期29-33,43,共6页匡勇 贾云鹏 金锐 吴郁 屈静 苏洪源 李蕊 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
为改善场终止型绝缘栅双极型晶体管（FS-IGBT）电场终止能力的可靠性,对一种缓变场终止型绝缘栅双极型晶体管（GFS-IGBT）的特性进行了仿真研究。与传统FS-IGBT的突变场终止层不同,GFS-IGBT所具有的场终止层是一个厚度为20-30μm,峰值...
关键词：缓变掺杂 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 通态压降 关断损耗 场终止结构 
150V电荷耦合功率MOSFET的仿真被引量：1
《半导体技术》2014年第12期902-907,共6页李蕊 胡冬青 金锐 贾云鹏 苏洪源 匡勇 屈静 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
电荷耦合是适用于中等电压功率MOSFET设计的先进设计理念之一，该设计思想旨在改善器件阻断态下的电场分布从而提高耐压。针对150V电荷耦合功率MOSFET双外延漂移区（分别为电荷耦合区N1区与非耦合区N2区）电荷匹配问题进行了仿真优化研...
关键词：金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET) 变掺杂 电荷耦合 场板 低栅漏电容 
600V高性能新型槽栅内透明IGBT的仿真被引量：1
《半导体技术》2014年第12期908-916,共9页苏洪源 胡冬青 刘钺杨 贾云鹏 李蕊 匡勇 屈静 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
载流子存储层(CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力。为了平衡载流子存储层对器件阻断能力的影响,在器件n-漂移区中CSL层处近哑元胞侧设计了p型埋层(p BL),利用电荷平衡的理念改善电场分布,并借助ISE-TAC...
关键词：p型埋层载流子存储层内透明集电极绝缘栅双极晶体管(CSL-pBL-ITC-IGBT) 哑元胞 载流子存储层 p型埋层 槽栅 
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