线性区工作模式下沟道中的载流子迁移率和温度梯度如何影响功率MOSFET的温度系数(TC)：理论研究、测试和仿真  

作　　者：张彦飞[1] 游雪兰[1] 吴郁[1] 

机构地区：[1]北京理工大学

出　　处：《电力电子》2008年第1期37-41,共5页Power Electronics

摘　　要：本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数(TC)。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑,并用一个实例验证了提出的模型。

关 键 词：功率MOSFET 载流子迁移率 温度系数 温度梯度 TC 线性区 迁移率模型 沟道 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学] TN386