高电压芯片级串联SiC MOSFET模块的封装设计  

Package Design of High Voltage Chip-Level Series-Connected SiC MOSFET Module

作　　者：尚海 梁琳 刘彤 SHANG Hai;LIANG Lin;LIU Tong

机构地区：[1]不详

出　　处：《电子与封装》2023年第11期108-108,共1页Electronics & Packaging

摘　　要：随着智能电网、新能源发电技术和轨道交通的发展,中压和高压电力电子设备是必然的发展趋势,因此需要越来越多的高压功率半导体模块来降低拓扑和控制系统的复杂性。在应用时,单芯片高压SiC MOSFET与串联低压SiC MOSFET相互竞争。前者由于工艺不成熟,成本较高;后者由于器件串联,寄生电感较大。与技术不成熟且昂贵的高压SiC芯片相比,通过串联低压SiC器件来实现高阻断电压更具成本效益。低压SiC器件的串联方式包括模块级串联和芯片级串联,目前芯片级串联器件的研究还很少。

关 键 词：芯片级 阻断电压 寄生电感 电力电子设备 封装设计 MOSFET 串联方式 成本效益 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]