局域寿命控制

作品数：8被引量：20H指数：3
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IGBT集电结局域寿命控制的比较与分析被引量：4
《半导体技术》2014年第2期114-118,141,共6页周新田 吴郁 胡冬青 贾云鹏 张惠惠 穆辛 金锐 刘钺杨 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点基金新教师项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性能,可以在集电结附近设置载流子局域寿命控制层(LCLC)来改...
关键词：载流子局域寿命控制层(LCLC) 内透明集电极绝缘栅双极晶体管(ITC—IGBT) 缓冲层局域寿命控制IGBT 折中特性 回跳现象 
高压功率快恢复二极管的寿命控制研究被引量：3
《固体电子学研究与进展》2008年第1期20-23,32,共5页谢书珊 胡冬青 亢宝位 
利用质子辐照感生的空位缺陷对铂原子的汲取作用,获得了局域寿命控制,辅以能量为4MeV电子辐照整体寿命控制技术,在具有低阳极发射效率结构的高压功率快恢复二极管中实现了更好的综合性能的优化。测试结果表明,此类快恢复二极管具有反向...
关键词：局域寿命控制 反向恢复时间 软度 反向漏电流 电子辐照 
局域寿命控制NPT-IGBT瞬态模型被引量：3
《Journal of Semiconductors》2006年第6期1078-1083,共6页方健 吴超 乔明 张波 李肇基 
国家军事电子预研(批准号:41308020405);武器装备预研基金(批准号:51408030404DZ0215)资助项目~~
提出了局域寿命控制下NPT IGBT的瞬态模型,并与数值分析结果进行了对比,验证了模型的正确性.该模型采用了准静态近似,将关断过程分为快速下降阶段和缓慢下降阶段分别加以求解而得到.基于该模型,详细讨论了局域低寿命区参数对关断时间的...
关键词：局域寿命控制 NPT-IGBT 关断时间 电导调制 
局域寿命控制NPT-IGBTs稳态模型被引量：1
《Journal of Semiconductors》2006年第5期857-863,共7页方健 蒋华平 乔明 张波 李肇基 
国家军事电子预研基金(批准号:41308020405)武器装备预研基金(批准号:51408030404DZ0215)资助项目~~
提出了局域寿命控制下的NPT-IGBT稳态模型.通过与二维器件数值仿真比较,表明模型结果和仿真结果能较好地吻合.基于该模型,详细地分析了局域寿命区的参数对器件正向特性的影响.通过对基区空穴浓度的分析,澄清了长期以来对于最优局域低寿...
关键词：局域寿命控制 NPT-IGBT正向压降 电导调制 
高压功率二极管中局域铂掺杂寿命控制的研究被引量：3
《固体电子学研究与进展》2004年第4期422-426,共5页贾云鹏 王俊 亢宝位 张斌 
北京市自然科学基金资助项目 (No .40 2 2 0 0 4);北京市教委资助项目 (批准号 :2 0 0 2KJ0 0 8) ;国家自然科学基金资助 (60 3 760 3 5 )
利用质子辐照形成的集中于射程末端的高密度缺陷在退火时对铂的吸杂作用 ,实现了硅高压功率P i N二极管的局域铂掺杂。经过 70 0°C、半小时低温退火 ,在已进行质子辐照的样品中 ,铂会由铂硅合金阳极向器件内部扩散 ,并形成与质子辐照...
关键词：局域寿命控制 质子注入 铂汲取 功率二极管 
用局域寿命控制技术改善功率快恢复二极管性能的仿真研究被引量：4
《Journal of Semiconductors》2003年第5期520-527,共8页吴鹤 吴郁 亢宝位 贾云鹏 
北京市自然科学基金 (批准号 :40 2 2 0 0 4);北京市教委 (批准号 :2 0 0 2 KG0 0 9)资助项目~~
针对局域低寿命区的参数对快恢复硅功率二极管性能的影响进行了系统的仿真研究 ,得到了全面系统的研究结果 ,其中包括局域低寿命区在二极管中的位置不同和局域低寿命区中复合中心能级在禁带中的位置不同对快恢复二极管的反向恢复时间 ( ...
关键词：局域寿命控制 快恢复硅功率二极管 参数折衷 轴向位置 复合中心能级位置 
快速软恢复二极管局域寿命控制数值分析被引量：1
《电力电子技术》2002年第6期70-72,共3页陈曦 田敬民 李守智 
采用混合器件模型研究了局域寿命控制技术对快速软恢复功率二极管静态和动态特性的影响 ,模拟结果表明 :低寿命区的最佳位置处于基区靠近阳极 ,其最佳宽度取决于载流子寿命减少的数量。
关键词：二极管 局域寿命控制 数值分析 载流子 
低能He注入局域寿命控制电导调制型功率器件输运模型被引量：3
《电子学报》2001年第8期1072-1075,共4页方健 李肇基 李鸿雁 杨健 
国家"九五"军事电子预研项目 (No.8.3 .5 .2 )
提出一种低能He注入局域寿命控制电导调制型功率器件的双极输运模型 .借助三区双极输运方程导出稳态的非平衡载流子浓度分布和正向压降 .借助电荷控制法并引入有效寿命概念获得反向恢复时间 .理论分析和实验结果表明这种器件的反向恢复...
关键词：电导调制 功率器件 氦离子注入 局域寿命控制 输运模型 
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