高压功率快恢复二极管的寿命控制研究  

Lifetime Control of Power Fast Recovery Diode

作　　者：谢书珊[1] 胡冬青[1] 亢宝位[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022

出　　处：《固体电子学研究与进展》2008年第1期20-23,32,共5页Research & Progress of SSE

摘　　要：利用质子辐照感生的空位缺陷对铂原子的汲取作用,获得了局域寿命控制,辅以能量为4MeV电子辐照整体寿命控制技术,在具有低阳极发射效率结构的高压功率快恢复二极管中实现了更好的综合性能的优化。测试结果表明,此类快恢复二极管具有反向恢复时间短、软度大、反向漏电低的优良特性,在国际上处于领先水平。Local lifetime control is obtained by means of local platinum doping using platinum gettering through the vacancy defects induced by proton irradiation.Assisted by total lifetime control using 4MeV electron irradiation,a fast soft recovery power diode is manufactured.The experiment results show that this kind of diode have fast reverse recovery time,large reverse softness and low reverse leakage.The performance of such diode is on top of congener products.

关 键 词：局域寿命控制 反向恢复时间 软度 反向漏电流 电子辐照 

分 类 号：TN31[电子电信—物理电子学]