高压功率二极管中局域铂掺杂寿命控制的研究  

High-voltage Power Diode with Lifetime Control of Localized Platinum

作　　者：贾云鹏[1] 王俊[1] 亢宝位[1] 张斌[2] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院电力电子器件研究室,北京100022 [2]清华大学电力电子厂,北京102201

出　　处：《固体电子学研究与进展》2004年第4期422-426,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：北京市自然科学基金资助项目 (No .40 2 2 0 0 4);北京市教委资助项目 (批准号 :2 0 0 2KJ0 0 8) ;国家自然科学基金资助 (60 3 760 3 5 )

摘　　要：利用质子辐照形成的集中于射程末端的高密度缺陷在退火时对铂的吸杂作用 ,实现了硅高压功率P i N二极管的局域铂掺杂。经过 70 0°C、半小时低温退火 ,在已进行质子辐照的样品中 ,铂会由铂硅合金阳极向器件内部扩散 ,并形成与质子辐照感生缺陷分布相似的铂的分布。最终 ,质子辐照缺陷峰附近处的铂浓度将会是缺陷拖尾区中铂浓度的 1.5～ 2倍。与传统扩铂技术相比 ,用此新技术制成的P i N功率二极管有可能实现更快的恢复速度、更大的软度恢复因子和更低的反向漏电。We realize for the first time the local lifetime control by means of gettering platinum through the induced defects created by proton implantation in high-voltage power diodes.The region of the damage resulting from the proton irradiation was decorated by the substitutional platinum diffused from PtSi anode at 700 °C /60 minutes annealing.Finally,the ratio of the platinum concentration of maximum damage region to the damage tail region is 1.5～2.With the comparison of the traditional platinum-diffusion lifetime control,this new technique demonstrates the good potential to fabricate power P-i-N diodes with the faster reverse recovery speed,the larger softness recovery factor and the lower leakage current.

关 键 词：局域寿命控制 质子注入 铂汲取 功率二极管 

分 类 号：TN31[电子电信—物理电子学]