杨健

作品数：7被引量：5H指数：1
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一种高性能的亚阈值CMOS电压基准
《微电子学》2021年第2期163-167,共5页王远飞 罗萍 杨健 唐天缘 杨秉中 
预研基金资助项目(1126190601A)。
基于0.18μm CMOS工艺设计了一种高性能的亚阈值CMOS电压基准。提出了一个电压减法电路,将两个具有不同阈值电压且工作在亚阈值区晶体管的栅源电压差作为电压基准输出。所提出的电压减法电路还可以很好地消除电源电压变化对输出基准的...
关键词：CMOS电压基准 电压减法电路 亚阈值区 低功耗应用 
低能He注入局域寿命控制电导调制型功率器件输运模型被引量：3
《电子学报》2001年第8期1072-1075,共4页方健 李肇基 李鸿雁 杨健 
国家"九五"军事电子预研项目 (No.8.3 .5 .2 )
提出一种低能He注入局域寿命控制电导调制型功率器件的双极输运模型 .借助三区双极输运方程导出稳态的非平衡载流子浓度分布和正向压降 .借助电荷控制法并引入有效寿命概念获得反向恢复时间 .理论分析和实验结果表明这种器件的反向恢复...
关键词：电导调制 功率器件 氦离子注入 局域寿命控制 输运模型 
空穴注入控制型LIGBT的研究
《电子学报》2000年第5期119-121,共3页杨健 朱小安 方健 李肇基 
国家"九五"军事预研项目资助课题;国防基金项目资助课题
本文提出空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管 (CI LIGBT) ,可有效控制高压下阳极区空穴注入 ,提高器件的抗闩锁性能 .数值模拟与实验表明 ,通过对阳极区结深、反偏p+ n+ 结击穿电压和取样电阻的优化 。
关键词：功率集成电路 横向绝缘棚 双极晶体管 空穴注入 
用于智能功率集成电路中的LDMOS/LIGBT混合结构
《电子学报》2000年第5期122-124,共3页朱小安 李学宁 方健 杨健 李肇基 
国家自然科学基金资助课题 ;国防科工委基金资助课题
本文提出了一种新型的LDMOS/LIGBT混合结构 .它兼具LIGBT的驱动能力强和LDMOS的速度快的特点 ,并且衬底电流小 ,能很好的抗闭锁 .利用此结构可在很宽的电压范围内得到一稳定的输出信号 .数值模拟和实验表明此结构对实现智能功率集成电...
关键词：绝缘栅双极晶体管 LDMOS/LIGBT 功率集成电路 
高速SOI-LIGBT的数值分析
《电子科技大学学报》2000年第2期153-157,共5页杨健 方健 李肇基 
国家"九五"预研基金资助;国防基金资助
研制出Ｈｅ离子注入局域寿命控制ＳＯＩ横向绝缘栅双极晶体管（ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ），有效地提高了器件的关断速度，且与集成电路工艺相兼容。数值模拟表明，该器件的t_f～V_F折衷关系优于采用非局域寿命控制的器件，在相同关断速度下...
关键词：横向绝缘栅 双极晶体管 SOI 离子注入 数值分析 
高压高速SOI-LIGBT的研制被引量：2
《微电子学》1999年第5期366-369,共4页杨健 张正 李肇基 李学宁 
国家"九五"军事预研项目;国防基金项目
采用数值模拟分析了双降场层SOI-LIGBT击穿电压与SOI层厚度和隔离SiO2层厚度的关系,分析了阳极短路面积比对器件正向压降、关断时间和正向转折电压的影响,并利用硅直接键合(SDB)技术研制出580V的阳极短路SOI-LIGBT。
关键词：横向绝缘棚 双极晶体管 智能功率IC SOI-LIGBT 
空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管
《微电子学》1999年第4期292-296,共5页杨健 方健 李肇基 
国家"九五"军事预研项目;国防基金
提出了空穴注入控制型横向绝缘栅双极晶体管（ Ｃ Ｉ Ｌ Ｉ Ｇ Ｂ Ｔ），它可以有效地控制高压下阳极区空穴注入，提高器件的闭锁电压。通过对阳极区反偏 ｐ＋ ｎ＋ 结击穿电压 Ｂ Ｖ Ｚ、取样电阻 Ｒ Ａ 和阳极区结深的优化，提高了 ...
关键词：横向绝缘栅双极晶体管 智能功率集成电路 功率器件 
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