用于智能功率集成电路中的LDMOS/LIGBT混合结构  

A New LDMOS/LIGBT Hybrid Structure In SPIC

作　　者：朱小安[1] 李学宁[1] 方健[1] 杨健[1] 李肇基[1] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子所,成都610054

出　　处：《电子学报》2000年第5期122-124,共3页Acta Electronica Sinica

基　　金：国家自然科学基金资助课题 ;国防科工委基金资助课题

摘　　要：本文提出了一种新型的LDMOS/LIGBT混合结构 .它兼具LIGBT的驱动能力强和LDMOS的速度快的特点 ,并且衬底电流小 ,能很好的抗闭锁 .利用此结构可在很宽的电压范围内得到一稳定的输出信号 .数值模拟和实验表明此结构对实现智能功率集成电路中的高。A special LDMOS/LIGBT hybrid structure is proposed in this paper.It has both characteristics of LIGBT’s strong drive ability and LDMOS’s fast speed.Also,It has small substrate current and can prevent latch up well.Using it,we can get a stable signal in wide voltage range.The results of numerical simulation and experiments demonstrate that this hybrid structure has excellent advantages for high side and low side signal transmission.

关 键 词：绝缘栅双极晶体管 LDMOS/LIGBT 功率集成电路 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]