横向绝缘栅双极晶体管

作品数：16被引量：10H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：陆生礼时龙兴祝靖孙伟锋张波更多>>
相关机构：电子科技大学苏州博创集成电路设计有限公司东南大学南京邮电大学更多>>
相关期刊：《微电子学》《中国无线电电子学文摘》《电子科技文摘》《电子科技大学学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金广东省自然科学基金国防基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
新型载流子积累的逆导型横向绝缘栅双极晶体管
《物理学报》2024年第15期179-186,共8页段宝兴 王佳森 唐春萍 杨银堂 
通过引入n^(+)阳极在体内集成续流二极管的逆导型横向绝缘栅双极晶体管(reverse-conducting lateral insulated gate bipolar transistor,RC-LIGBT)可以实现反向导通,并且优化器件的关断特性,是功率集成电路中一个有竞争力的器件.本文...
关键词：载流子积累 逆导型横向绝缘栅双极晶体管 导通压降 回吸电压 
具有表面超结的横向绝缘栅双极晶体管研究被引量：1
《微电子学》2022年第3期454-458,共5页周淼 倪晓东 何逸涛 陈辰 周锌 
国家自然科学基金资助项目(62004034);广东省自然科学基金资助项目(2022A1515012264)。
提出了一种基于体硅的表面超结横向绝缘栅双极晶体管(SSJ LIGBT)。分析了工艺参数注入剂量和注入能量对器件性能的影响,基于耐压需求的考虑,设计并优化了SSJ LIGBT器件及其终端。对该SSJ LIGBT进行了击穿特性、输出特性和转移特性的测...
关键词：横向绝缘栅双极型晶体管 表面超结 终端设计 耐压 比导通电阻 
550 V无电压折回逆导型横向绝缘栅双极晶体管器件设计
《电子产品世界》2020年第9期73-75,79,共4页杨瑞丰 
逆导型横向绝缘栅双极晶体管(RC-LIGBT)由于高电流密度、小封装成本等优点,成为了功率器件领域内主流器件之一,然而其会受到电压折回现象的不利影响。本文提出了一种基于绝缘体上硅技术的RCLIGBT器件,将续流二极管集成在位于埋氧层下的...
关键词：逆导型横向绝缘栅双极晶体管 电压折回现象 绝缘体上硅 导通压降 关断损耗 
基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型SOI LIGBT
《微电子学》2017年第5期714-717,共4页周骏 成建兵 袁晴雯 陈珊珊 吴宇芳 王勃 
国家自然科学基金资助项目(61274080)
在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LT...
关键词：阳极短路横向绝缘栅双极晶体管 击穿电压 反型层 负微分电阻效应 
500V沟槽阳极LIGBT的设计与优化
《北京工业大学学报》2012年第8期1153-1157,共5页邵雷 李婷 陈宇贤 王颖 
哈尔滨市科技创新人才研究专项基金资助项目(RC2007QN009016)
介绍一种双外延绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)结构的沟槽阳极横向绝缘栅双极型晶体管(trenchanode lateral insulated-gate bipolar transistor,TA-LIGBT).沟槽阳极结构使电流在N型薄外延区几乎均匀分布,并减小了元胞面积;双外...
关键词：沟槽 横向绝缘栅双极晶体管 击穿电压 导通压降 阈值电压 特征导通电阻 
SOI NLIGBT热载流子效应研究
《固体电子学研究与进展》2012年第4期309-313,317,共6页张炜 张世峰 韩雁 吴焕挺 
SOI NLIGBT中热载流子效应分别通过直流电压的应力测试、TCAD仿真和电荷泵测试三种方法进行了研究。其中,不同直流电压应力条件下测得的衬底电流Isub和导通电阻Ron用来评估因热载流子效应引起的器件退化程度。为了进行理论分析,对器件...
关键词：绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管 热载流子效应 碰撞离化率 电荷泵 界面态 氧化层陷阱空穴 
一种可快速关断的新型横向绝缘栅双极晶体管被引量：2
《微电子学》2012年第4期565-568,共4页胡浩 陈星弼 
提出了一种可快速关断的新型横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)。在LIGBT关断时,利用一个集成的PMOS晶体管来短路发射结,以获得短的关断时间。PMOS晶体管由LIGBT驱动,不需要外部驱动电路。新器件在没有带来任何副作用(如snap-back现象和工艺...
关键词：横向绝缘栅双极晶体管 横向器件 快速关断 
SOI LIGBT抗闩锁效应的研究与进展
《微电子学》2011年第3期461-464,478,共5页苏步春 张海鹏 王德君 
国家自然科学基金资助项目(60306003);浙江省科技计划资助项目(2009C21G2040066)
概述了绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管(SOI LIGBT)抗闩锁结构的改进历程,介绍了从早期改进的p阱深p+欧姆接触SOI LIGBT结构到后来的中间阴极SOI LIGBT、埋栅SOILIGBT、双沟道SOI LIGBT、槽栅阳极短路射频SOI LIGBT等改进结构;阐述了一...
关键词：绝缘层上硅 横向绝缘栅双极晶体管 闩锁效应 
漂移区均匀掺杂SOILIGBT通态电阻模型被引量：2
《杭州电子科技大学学报（自然科学版）》2007年第2期1-4,共4页徐文杰 孙玲玲 张海鹏 
国家自然科学基金资助项目(60036030);浙江省自然科学基金资助项目(y104599)
在研究影响绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管通态电阻物理机制的基础上,将通态电阻分解为沟道电阻、漂移区电阻和缓冲层电阻。计算沟道电阻考虑了沟道两侧耗尽层扩展对沟道电阻的影响。计算漂移区电阻时,将漂移区按载流子的分布分为3个部...
关键词：绝缘层上硅 横向绝缘栅双极晶体管 通态电阻 耗尽层 调制电阻 
漂移区减薄的多沟道薄膜SOILIGBT的研究(Ⅰ)——低压截止态泄漏电流的温度特性被引量：4
《固体电子学研究与进展》2001年第1期37-42,共6页张海鹏 宋安飞 杨国勇 冯耀兰 魏同立 
国家自然科学基金!重点项目 (批准号 :6 9736 0 2 0 )
提出了一种新结构薄膜 SOI L IGBT——漂移区减薄的多沟道薄膜 SOI LIGBT( DRT-MC TFSOI L IGB)。主要研究了其低压截止态泄漏电流在 4 2 3～ 573K范围的温度特性。指出 ,通过合理的设计可以使该种新器件具有很低的截止态高温泄漏电流 ...
关键词：多沟道薄膜 绝缘层 横向绝缘栅双极晶体管 泄漏电流 漂移区 LIGBT 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部