云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- NPT-IGBT

NPT-IGBT: 作品数：14被引量：13H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：亢宝位胡冬青吴郁王浩李肇基更多>>; 相关机构：北京工业大学电子科技大学国网智能电网研究院中国科学院微电子研究所更多>>; 相关期刊：《中国集成电路》《电力电子》《世界电子元器件》《固体电子学研究与进展》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家电网公司科技项目武器装备预研基金军事电子预研基金更多>>

3300 V p^+深阱平面栅非穿通IGBT特性: 《半导体技术》2017年第5期352-357,共6页刘江王耀华赵哿高明超金锐潘艳; 国家能源局资助项目(5455DW150019);国家电网自筹项目(5455GB160006); 高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)存在寄生晶闸管,易发生闩锁失效。对p^+深阱的参数进行了优化,制备了3 300 V p^+深阱平面栅非穿通IGBT(NPT-IGBT)。对NPT-IGBT的静态特性进行了仿真,结果表明,当p^+结深约为5.5μm,p^+深阱距离多晶硅5μm时,...; 关键词：非穿通绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT) p+深阱静态特性动态特性闩锁

1700V/100A平面型NPT-IGBT静态特性研究被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2014年第1期81-85,共5页高明超刘隽赵哿刘江金锐于坤山包海龙; 国家电网公司科技项目(SGRI-WD-91-12-001;SGRI-WD-71-13-006;SGRI-WD-71-13-007);院2012年储备库项目(SGRI-WD-81-12-003;SGRI-WD-81-12-002); 基于现有工艺平台设计一款1700V／100A非穿通型绝缘栅双极晶体管器件（Nonpunchthrough insu—latorgatebipolartransistor，简称NPT-IGBT），元胞采用平面型结构，元胞注入采用自对准工艺，背发射极采用透明集电极技术，对其静态特性...; 关键词：绝缘栅双极晶体管元胞击穿电压阈值电压饱和压降

仿真研究NPT-IGBT器件的瞬态特性: 《半导体技术》2013年第5期347-351,共5页刘钺杨金锐赵哿于坤山; 北京市科委科技资助项目(Z111104056011004);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-91-12-001); 绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有驱动简单、易于并联的优点,在高端领域得到广泛应用。以1 200 V非穿通型IGBT(NPT-IGBT)为例,仿真研究IGBT的器件结构对瞬态特性的影响(主要是开关特性和短路特性),并探讨器件短路工作过程中的自升温效应。另...; 关键词：绝缘栅双极晶体管氧化隔离层开关损耗短路耐量折衷设计

Experimental study of the anode injection efficiency reduction of 3.3-kV-class NPT-IGBTs due to backside processes: 《Journal of Semiconductors》2012年第2期41-44,共4页Jiang Huaping Zhang Bo Liu Chuang Chen Wanjun Rao zugang Dong Bin; supported by the Major Specialized Program of National Science and Technology,China(No.2011ZX02706-003); The anode injection efficiency reduction of 3.3-kV-class non-punch-through insulated-gate bipolar transistors （NPT-IGBTs） due to backside processes is experimentally studied through comparing the forward blocking ca...; 关键词：non-punch-through IGBT anode injection efficiency reduction breakdown voltage

一种新结构IGBT——内透明集电极IGBT的仿真研究: 《中国集成电路》2008年第12期25-29,69,共6页王浩胡冬青吴郁亢宝位; 本文首次对新近提出的一种新结构的IGBT——内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真。这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法,使器件在物理上实现了集电极对电子的透明,同...; 关键词：内透明集电极 PT-IGBT NPT-IGBT 高复合层

一种新结构IGBT——内透明集电极IGBT的仿真被引量：5: 《Journal of Semiconductors》2008年第2期348-351,共4页王浩胡冬青吴郁周文定亢宝位; 国家自然科学基金资助项目(批准号:60676049)~~; 对新近提出的一种新结构的IGBT——内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真.这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法,使器件在物理上实现了集电极对电子的透明,同时又避免了...; 关键词：内透明集电极 PT-IGBT NPT-IGBT 高复合层

THS320C5402在线擦写Flash实现自举加载: 《电力电子》2007年第3期33-35,44,共4页杨明远; 本文介绍了用TMS320C5402在线擦写Flash芯片的方法。硬件电路选用DRAM芯片IS61LV25616AL(256K×16bits)作为片外程序存储器,以提高程序运行速度,用FLASH芯片AT29LV1024(64K×16bits)作为片外数据存储器来实现Bootload,使TMS320C5402芯...; 关键词：IGBT PT-IGBT NPT-IGBT

一种新结构IGBT—内透明集电区IGBT被引量：1: 《电力电子》2007年第2期36-38,35,共4页李震胡冬青亢宝位; 本研究获得国家自然科学基金资助;批准号60676049; 本文对一种新的IGBT结构——"内透明集电区IGBT"(ITC-IGBT)进行了仿真研究。这种新结构的特点是在用外延片制造的传统的IGBT的P型集电区中距集电结很近的位置设置了一个具有极高过剩载流子复合速率的内部高复合层,同时适当降低高复合层...; 关键词：IGBT PT-IGBT NPT-IGBT

局域寿命控制NPT-IGBT瞬态模型被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2006年第6期1078-1083,共6页方健吴超乔明张波李肇基; 国家军事电子预研(批准号:41308020405);武器装备预研基金(批准号:51408030404DZ0215)资助项目~~; 提出了局域寿命控制下NPT IGBT的瞬态模型,并与数值分析结果进行了对比,验证了模型的正确性.该模型采用了准静态近似,将关断过程分为快速下降阶段和缓慢下降阶段分别加以求解而得到.基于该模型,详细讨论了局域低寿命区参数对关断时间的...; 关键词：局域寿命控制 NPT-IGBT 关断时间电导调制

局域寿命控制NPT-IGBTs稳态模型被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2006年第5期857-863,共7页方健蒋华平乔明张波李肇基; 国家军事电子预研基金(批准号:41308020405)武器装备预研基金(批准号:51408030404DZ0215)资助项目~~; 提出了局域寿命控制下的NPT-IGBT稳态模型.通过与二维器件数值仿真比较,表明模型结果和仿真结果能较好地吻合.基于该模型,详细地分析了局域寿命区的参数对器件正向特性的影响.通过对基区空穴浓度的分析,澄清了长期以来对于最优局域低寿...; 关键词：局域寿命控制 NPT-IGBT正向压降电导调制

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