周文定

作品数：3被引量：31H指数：3
导出分析报告
供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：绝缘栅双极晶体管IGBT内透明集电极槽栅半导体元器件更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《中国集成电路》《电力电子技术》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
不断发展中的IGBT技术概述被引量：6
《中国集成电路》2009年第1期23-28,共6页周文定 亢宝位 
国家自然科学基金资助项目(60676049)
概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Tren...
关键词：半导体元器件 晶闸管 芯片/沟槽栅 绝缘栅双极晶体管 
一种新结构IGBT——内透明集电极IGBT的仿真被引量：5
《Journal of Semiconductors》2008年第2期348-351,共4页王浩 胡冬青 吴郁 周文定 亢宝位 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60676049)~~
对新近提出的一种新结构的IGBT——内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真.这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法,使器件在物理上实现了集电极对电子的透明,同时又避免了...
关键词：内透明集电极 PT-IGBT NPT-IGBT 高复合层 
不断发展中的IGBT技术概述被引量：20
《电力电子技术》2007年第9期115-118,共4页周文定 亢宝位 
国家自然科学基金资助项目(60676049)~~
概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Tren...
关键词：半导体元器件 晶闸管 芯片/沟槽栅 绝缘栅双极晶体管 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部