不断发展中的IGBT技术概述  

The Summary on Continuous Development of IGBT Technology

作　　者：周文定[1] 亢宝位[1] 

机构地区：[1]北京工业大学,北京100022

出　　处：《电力电子技术》2007年第9期115-118,共4页Power Electronics

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60676049)~~

摘　　要：概述了自IGBT发明以来其主要结构和相应性能的改进,包括芯片集电结附近(下层)结构的改进(透明集电区),耐压层附近(中层)结构的改进(NPT,FS/SPT等)和近表层(上层)结构的改进(沟槽栅结构,注入增强结构等),以及由它们组合成的NPT-IGBT,Trench IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT+,IEGT,HiGT,CSTBT等。This paper presents the development of IGBT technology since the first IGBT concept has been introduced.h includes the new concept, new structure and relevant improvement of performance, such as transparent collector,field stop, trench gate,injection enhancement,all of these make up new products of NVF-IGBT,Trenchstop-IGBT,SPT,SPT＋,CSTBT, IEGT, HiGT ect.

关 键 词：半导体元器件 晶闸管 芯片/沟槽栅 绝缘栅双极晶体管 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]