李震

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：IGBTNPT-IGBT集电区新结构控制策略更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信交通运输工程机械工程更多>>
发文期刊：《电力电子》更多>>
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一种新结构IGBT—内透明集电区IGBT被引量：1
《电力电子》2007年第2期36-38,35,共4页李震 胡冬青 亢宝位 
本研究获得国家自然科学基金资助;批准号60676049
本文对一种新的IGBT结构——"内透明集电区IGBT"(ITC-IGBT)进行了仿真研究。这种新结构的特点是在用外延片制造的传统的IGBT的P型集电区中距集电结很近的位置设置了一个具有极高过剩载流子复合速率的内部高复合层,同时适当降低高复合层...
关键词：IGBT PT-IGBT NPT-IGBT 
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