FD-SOI技术产业链及市场简析  

作　　者：朱雷 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所战略研究室

出　　处：《中国集成电路》2019年第10期29-32,共4页China lntegrated Circuit

摘　　要：超薄基体埋氧全耗尽绝缘层基硅(Ultra Thin body and BOX- Fully Depleted - silicon on insulator,UTBB-FD-SOI,以下简称FD-SOI),是一种基于两大创新来实现平面晶体管结构的工艺技术:一是,在体硅中引入了超薄的埋氧(BOX)层,作为绝缘层;二是,用超薄的顶硅层制造出全耗尽的晶体管沟道。FD-SOI最大的特点是可以在无需全面改造设备结构、完整性和生产流程的前提下实现摩尔定律下的芯片面积微缩、能耗节省、性能提升及功能拓展。FD-SOI晶体管的结构如图1所示。

关 键 词：SOI技术 产业链 市场 晶体管 设备结构 芯片面积 摩尔定律 生产流程 

分 类 号：F416.6[经济管理—产业经济] TN386[电子电信—物理电子学]