NMOS器件

作品数：61被引量：88H指数：4
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高压GGNMOS器件结构及工艺对ESD防护特性的影响
《固体电子学研究与进展》2024年第2期178-182,共5页傅凡 万发雨 汪煜 洪根深 
国家重点研发计划资助项目(2022YFE0122700);北京东方计量测试研究所刘尚合院士专家工作站静电研究基金资助项目(BOIMTLSHJD20221004)。
基于高压CMOS工艺,对高压栅极接地N型金属氧化物半导体(Highvoltagegrounded-gate N-metal-oxide-semiconductor, HV-GGNMOS)的静电放电(Electrostatic discharge, ESD)防护性能进行研究。由于强折回特性以及失效电流低,HV-GGNMOS在实...
关键词：静电放电防护 栅极接地NMOS 维持电压 失效电流 
H型栅NMOS器件Kink效应的研究
《电子元件与材料》2024年第1期55-60,共6页徐大为 彭宏伟 秦鹏啸 王青松 董海南 
H型栅NMOS器件因其强抗辐照和低功耗等优势已逐渐成为PDSOI电路设计中的核心器件。但H型栅NMOS器件的Ids-Vds曲线会在漏极电压较高时发生明显的翘曲现象,称为Kink效应。该效应严重影响一定工作条件下的电路性能和稳定性。为此,依据实测...
关键词：H型栅NMOS KINK效应 PDSOI 总剂量辐照 TCAD 
40nm NMOS器件沟道热载流子效应和电离总剂量效应关联分析被引量：2
《现代应用物理》2022年第1期180-185,共6页何宝平 马武英 王祖军 姚志斌 缑石龙 
国家自然科学基金资助项目(11690043,11690040)。
通过理论模拟和辐照试验,对40 nm NMOS器件在电离总剂量(total ionization dose,TID)效应和沟道热载流子(channel hot carrier,CHC)效应综合作用下二者的相关性进行了研究。研究结果表明,CHC效应和TID效应单独作用都会对纳米NMOS器件产...
关键词：电离总剂量效应 沟道热载流子效应 浅槽隔离 超薄栅氧化层 
对改性晶圆上制备的PDSOI NMOS器件热载流子效应的全面认识
《原子能科学技术》2021年第12期2157-2167,共11页刘春媚 杨旭 朱慧龙 胡志远 毕大炜 张正选 
Supported by Jiangsu Enterprise Academician Workstation Project。
通过与常规器件的对比,本文详细研究了在硅离子注入改性晶圆上制备的PDSOI NMOS的热载流子诱导退化现象。理论分析和TCAD模拟结果表明,硅离子注入在埋氧层中引入的电子陷阱能够捕获注入的电子,并通过改变电场来影响氧化层的热载流子退...
关键词：热载流子效应 总剂量效应 辐射加固 PDSOI NMOS 改性器件 
对称矩形环栅NMOS器件的建模与验证被引量：2
《微电子学》2021年第4期598-602,共5页蒋鹏凯 罗萍 吴昱操 凌荣勋 
预研项目(1126190601A)。
介绍了一种对称矩形环栅NMOS器件结构,并对其等效宽长比的计算模型和总剂量效应加固性能进行了研究。通过区域划分、保角变换等方法,对该对称矩形环栅NMOS器件进行建模,给出了其等效宽长比的计算模型。在0.18μm BCD工艺下进行流片,并...
关键词：总剂量效应加固 对称矩形环栅 等效宽长比计算模型 
PDSOI NMOS器件激光模拟光电流效应
《太赫兹科学与电子信息学报》2021年第2期352-355,共4页任尚清 王博博 蒋春生 钟乐 孙鹏 解磊 
国家自然科学基金资助项目(619041164)。
为获得N型金属氧化物半导体(NMOS)器件在γ射线辐照条件下的光电流特性,采用激光模拟技术,利用部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺NMOS器件进行激光照射试验,获得不同尺寸和拓扑结构器件在激光照射条件下光电流和激光入射能量之间的关系...
关键词：N型金属氧化物半导体器件 部分耗尽型绝缘体上硅 激光模拟 光电流 
用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性被引量：1
《半导体技术》2021年第3期210-215,共6页王加鑫 李晓静 赵发展 曾传滨 李博 韩郑生 罗家俊 
国家自然科学基金青年基金资助项目(61804168)。
研究了基于0.18μm部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS器件的高温特性。借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该ESD防护器件在30~195℃内的ESD防护特性进行了测试。讨论了温度对ESD特征参数的影响,发现随着温度升高,该ES...
关键词：静电放电(ESD) 绝缘体上硅(SOI) NMOSFET 高温 传输线脉冲(TLP) 
LDD注入工艺对40nm中压NMOS器件HCI-GIDL效应的优化
《微电子学》2020年第5期738-742,共5页闫翼辰 蔡小五 魏兰英 蔡巧明 曹杨 杜林 
国家重点研究发展计划项目(2016YFB0901804)。
基于40 nm CMOS工艺,研究了8 V MV NMOS器件的HCI-GIDL效应的优化。分析了增大LDD注入倾角、二次LDD注入由P注入变为As注入两种措施对电学特性的影响。测试结果表明,两种措施均对器件的衬底电流、关态泄漏电流产生较好效果。利用TCAD工...
关键词：HCI-GIDL效应 NMOS器件 LDD注入 
浅沟槽隔离工艺对NMOS器件的影响研究
《电子技术（上海）》2020年第2期22-24,共3页勾鹏 刘巍 景旭斌 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500204)。
基于HLMC 28nm工艺制程,研究了浅沟槽隔离(STI)对NMOS器件的影响,通过改变栅极到浅沟槽的距离,从而改变浅沟槽隔离区域对器件载流子迁移率、掺杂元素轮廓的影响。实验发现浅沟槽距离栅极越近,STI应力对器件影响越大,具体表现阈值电压偏...
关键词：集成电路制造 浅沟槽隔离 应力 器件结构 
深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟被引量：2
《电子技术应用》2019年第12期59-61,66,共4页薛海卫 张猛华 杨光安 
为了研究深亚微米SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应,采用TCAD工具对0.13μm SOI工艺H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×10^8~1×10^10(Gy(Si)/s)的7个点,模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量...
关键词：瞬时剂量率效应 三维数值模拟 深亚微米SOI H型NMOS 
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