高压CMOS

作品数：14被引量：5H指数：1
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相关期刊：《半导体技术》《微处理机》《中国学术期刊文摘》《微电子技术》更多>>
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AMS推出可拓展的高压CMOS晶体管
《集成电路通讯》2016年第1期44-44,共1页
AMS晶圆代工事业部近日宣布进一步扩展其行业领先高压CMOS专业制程平台。基于该高压平台的先进“H35”制程工艺，使艾迈斯半导体能涵盖一整套可有效解节省空间并能提升设备性能的电压可拓展的晶体管。新的电压可拓展的高压NMOS和PMOS晶...
关键词：高压CMOS CMOS晶体管 AMS 可拓 PMOS晶体管 漏源电压 制程工艺 晶圆代工 
AMS推出可拓展的高压CMOS晶体管
《半导体信息》2015年第6期5-5,共1页赵佶 
AMS晶圆代工事业部近日宣布进一步扩展其行业领先的0.35μm高压CMOS专业制程平台。基于该高压制程平台的先进"H35"制程工艺,使艾迈斯半导体能涵盖一整套可有效节省空间并提升设备性能的电压可拓展的晶体管。
关键词：AMS 晶圆代工 程平 制程工艺 NMOS PMOS 导通电阻 提升设备 混合信号电路 创新计划 
奥地利微电子新款AS8515传感器接口为汽车电池电量传感提供完整解决方案
《电子设计工程》2013年第1期180-180,共1页
奥地利微电子公司是全球领先的高性能模拟IC和传感器芯片制造商．专为消费、工业、汽车应用行业服务。该公司今日宣布推出系统级封装（SiP）芯片AS8515。当通过SPI接口连接任何一个微控制器时，新品可帮助实现完整的汽车电池测量系统。A...
关键词：奥地利微电子公司 传感器接口 汽车应用 电池电量 芯片制造商 系统级封装 整解 高压CMOS 
半导体技术
《中国学术期刊文摘》2007年第22期121-144,共24页
实现64级灰度显示的无源OLED驱动芯片的设计;全电子束光刻制造二维光子晶体波导器件解决方案;100V高压CMOS工艺关键技术的研究;用有限元方法分析Si／GaAs的键合热应力;快速锁定。
关键词：半导体技术 LED驱动芯片 二维光子晶体 高压CMOS 电子束光刻 有限元方法 频率综合器 灰度显示 
0.18微米CMOS工艺技术平台
《中国集成电路》2007年第8期23-24,共2页
本工艺技术平台以国际主流0．18微米CMOS工艺为目标，与世界先进的FOUNDRY工艺相匹配，并有很强的兼容性，可兼容RFCMOS、高压CMOS、Flash等各类主流产品工艺模块。其技术特征为：双工作电压（1．8伏和3．3伏）、1层多晶6层铝布线；可...
关键词：CMOS工艺 技术平台 微米 FOUNDRY 高压CMOS FLASH 工艺模块 工作电压 
高压CMOS电路的设计及制造工艺研究
《微处理机》2007年第3期27-28,共2页郭常厚 马洪江 宋玲玲 
介绍了一种与常规CMOS电路兼容的高压CMOS电路版图设计及工艺加工技术。在该技术中采用了非自对准的场区掺杂,增加场区掺杂浓度,轻掺杂漏区以形成漂移区等提高MOS晶体管击穿电压的一系列技术措施,使MOS晶体管的源漏击穿电压提高至35V以...
关键词：高压CMOS 非自对准场区掺杂 漂移区 工艺兼容 
飞思卡尔与ELMOS加强在汽车市场的战略联盟
《汽车与配件》2006年第44期16-16,共1页
飞思卡尔半导体和ELMOS半导体公司近日宣布双方正在联合开发创新的多芯片产品为下一代汽车系统提供更高的智能水平这两家行业领先公司计划联合开发专用半导体产品[ASSP]结合利用飞思卡尔的高性能16位微控制器[MCIJ]体系架构和ELMOS的高...
关键词：汽车市场 卡尔 半导体产品 联盟 高压CMOS 半导体公司 体系架构 微控制器 
场发射平板显示高低压电平转换电路
《发光学报》2006年第5期822-826,共5页宋李梅 李桦 杜寰 夏洋 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314705)
提出适用于场发射高压驱动的高低压电平转换电路设计及性能分析。通过模拟,此电路可以在100V的驱动工作电压以及10mA的驱动电流条件下安全工作,最高工作频率可达20MHz。在50pF输出负载下上升时间和下降时间分别为14,25ns。同时分析了高...
关键词：场发射 电平转换电路 高压CMOS 驱动电路 高低压兼容 
薄栅氧高压CMOS器件研制
《Journal of Semiconductors》2004年第5期568-572,共5页刘奎伟 韩郑生 钱鹤 陈则瑞 于洋 仙文岭 饶竞时 
研制了与 0 .5μm标准 CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压 CMOS器件 .提出了具体的工艺制作流程 -在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程 ,并成功进行了流片试验 .测试结果显示 ,高压 NMOS耐压达到98V,高压 PMOS耐压达到 - 6 6 ...
关键词：0.5μm 高压CMOS 高低压兼容 CMOS工艺 驱动电路 
等离子平板显示选址芯片设计被引量：1
《电路与系统学报》2003年第5期123-126,共4页吴建辉 孙伟锋 李红 陆生礼 
采用标准CMOS工艺设计出PDP(Plasma Display Panel)选址芯片,重点设计出一种高压结构—HV-CMOS(High Voltage CMOS)结构,采用单阱非外延工艺以降低生产难度和成本,实现了高低压之间的兼容。同时采用TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟、并用...
关键词：等离子平板显示 高压CMOS 高/低压兼容 CMOS工艺 
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