李桦

作品数:6被引量:2H指数:1
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供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题:双栅高压集成电路高压CMOS集成技术互补金属氧化物半导体更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《微电子学与计算机》《发光学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
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Investigations of Key Technologies for 100V HVCMOS Process
《Journal of Semiconductors》2006年第11期1900-1905,共6页宋李梅 李桦 杜寰 夏洋 韩郑生 海潮和 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2003CB314705)~~
A novel dual gate oxide (DGO) process is proposed to improve the performance of high voltage CMOS (HVCMOS) devices and the compatibility between thick gate oxide devices and thin gate oxide devices. An extra sidew...
关键词:HVCMOS DGO compatibility 
场发射平板显示高低压电平转换电路
《发光学报》2006年第5期822-826,共5页宋李梅 李桦 杜寰 夏洋 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314705)
提出适用于场发射高压驱动的高低压电平转换电路设计及性能分析。通过模拟,此电路可以在100V的驱动工作电压以及10mA的驱动电流条件下安全工作,最高工作频率可达20MHz。在50pF输出负载下上升时间和下降时间分别为14,25ns。同时分析了高...
关键词:场发射 电平转换电路 高压CMOS 驱动电路 高低压兼容 
1OOV高压pMOS器件研制
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期275-278,共4页宋李梅 李桦 杜寰 夏洋 韩郑生 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2003CB314705)
研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压pMOS器件.在器件设计过程中利用TCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.8μm n阱标准CMOS工艺兼容的高压工艺流程,并试制成功.实验结果表明,该器件关态击穿电压为-158V,栅压-100...
关键词:高压集成电路 LDMOS 厚栅氧 
双栅氧CMOS工艺研究被引量:2
《微电子学与计算机》2005年第11期5-6,9,共3页李桦 宋李梅 杜寰 韩郑生 
国家重点基础研究发展计划项目(2003CB314705)
双栅氧工艺(dualgateoxide)在高压CMOS流程中得到了广泛的应用,此项工艺可以把薄栅氧器件和厚栅氧器件集成在同一个芯片上。文章介绍了常用的两种双栅氧工艺步骤并分析了它们的优劣。在此基础上,提出了一种实现双栅氧工艺的方法。
关键词:双栅氧工艺 高压CMOS流程 
Design and Fabrication of a High-Voltage nMOS Device
《Journal of Semiconductors》2005年第8期1489-1494,共6页李桦 宋李梅 杜寰 韩郑生 
国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2003CB314705)~~
High-voltage nMOS devices are fabricated successfully and the key technology parameters of the process are optimized by TCAD software. Experiment results show that the device's breakdown voltage is 114V, the threshol...
关键词:high-voltage nMOS devices SIMULATION FABRICATION 
用于FED和PDP平板显示高压驱动电路的CMOS器件被引量:1
《发光学报》2005年第5期678-683,共6页李桦 宋李梅 杜寰 韩郑生 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314705)
在Synopsys TCAD软件环境下,结合中国科学院微电子研究所0.8μm标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟。由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性,高压CMOS器件均采用LDMOS结构;根据RESURF技术,对于器件的漂移区进行了优化。...
关键词:显示驱动 高压CMOS器件 0.81μm CMOS工艺 模拟 
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