Design and Fabrication of a High-Voltage nMOS Device  

高压nMOS器件的设计与研制(英文)

作　　者：李桦[1] 宋李梅[1] 杜寰[1] 韩郑生[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第8期1489-1494,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2003CB314705)~~

摘　　要：High-voltage nMOS devices are fabricated successfully and the key technology parameters of the process are optimized by TCAD software. Experiment results show that the device＇s breakdown voltage is 114V, the threshold voltage and maximum driven ability are 1.02V and 7.5mA（W/L = 50）, respectively. Experimental results and simulation ones are compared carefully and a way to improve the breakdown performance is proposed.根据TCAD软件模拟的最优工艺条件成功研制了高压nMOS器件.测试结果表明器件的击穿电压为114V,阈值电压和最大驱动能力分别为1.02V和7.5mA(W/L=50).详细比较了器件的模拟结果和测试数据,并且提出了一种改善其击穿性能的方法.

关 键 词：high-voltage nMOS devices SIMULATION FABRICATION 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]