高低压兼容

作品数：8被引量：3H指数：1
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一种高低压兼容的新型岸基供电系统设计与研究被引量：1
《天津科技》2023年第S01期10-13,共4页崔皓博 
主要介绍了一种高低压兼容的新型岸基供电系统,创造性地将高压岸电系统与低压岸电系统有效整合,在共用一套高压变频电源的情况下,实现了电能的稳定有效输出。通过对比国内外岸电系统的优缺点,采用RHVC船舶岸基变频供电电源,并介绍了岸...
关键词：岸电系统 变频电源 监控系统 
15V/400V高低压兼容的栅驱动器设计技术被引量：1
《微处理机》2016年第3期20-22,共3页唐宁 代雪峰 
描述了一种15V/400V高低压兼容的功率MOSFET栅驱动器电路设计。电路内部有三组电源提供供电,逻辑电源供给端口信号输入,低侧通路电源供给低侧端口信号输出,高侧通路电源供给高侧端口输出。片上三组非隔离电源通过从输入部分到低侧通路...
关键词：栅驱动器 低侧 高侧 高低压 兼容 偏移 
一种高低压电路的版图设计
《集成电路通讯》2011年第1期8-14,共7页胡传菊 陈起 戴放 
以某驱动电路的版图设计为例，针对多电源多地数模混合高压电路的版图设计中存在的高压管与低压管的兼容问题、高压管的抗闩锁设计、产生的寄生二极管等问题进行分析讨论，给出了相应的版图设计方案。该版图设计采用华润上华公司（CSMC...
关键词：高压管 高低压兼容 隔离晶体管 漏极延伸晶体管 
基于0.5μm CMOS集成电路高低压兼容技术研究
《电子与封装》2007年第9期22-25,共4页刘允 赵文彬 
将高压MOSFETs器件集成到低压CMOS数字和模拟电路中的应用越来越频繁。文章参考了Parpia提出结构,将高压NMOS、PMOS器件制作在商用3.3V/5V 0.5μmN-阱CMOS工艺中,没有增加任何工艺步骤,也没有较复杂BiCMOS工艺中用到的P-阱、P+、N+埋层...
关键词：高压MOS器件 低压MOS器件 0.5μm CMOS工艺 工艺兼容技术 
与常规CMOS工艺兼容的高压PMOS器件设计与应用
《微电子学》2007年第1期41-44,共4页李红征 于宗光 
电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室基金资助项目(51433020105DZ6802)
采用常规P阱CMOS工艺,实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器件。制作的器件,其击穿电压为55 V,阈值电压0.92 V,驱动电流25 mA。对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造工艺、器件结构和测试等方面进行了阐述。该器件已成功应用于VFD平板显...
关键词：高低压兼容 偏置栅高压MOS 标准CMOS工艺 PMOS器件 
场发射平板显示高低压电平转换电路
《发光学报》2006年第5期822-826,共5页宋李梅 李桦 杜寰 夏洋 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB314705)
提出适用于场发射高压驱动的高低压电平转换电路设计及性能分析。通过模拟,此电路可以在100V的驱动工作电压以及10mA的驱动电流条件下安全工作,最高工作频率可达20MHz。在50pF输出负载下上升时间和下降时间分别为14,25ns。同时分析了高...
关键词：场发射 电平转换电路 高压CMOS 驱动电路 高低压兼容 
薄栅氧高压CMOS器件研制
《Journal of Semiconductors》2004年第5期568-572,共5页刘奎伟 韩郑生 钱鹤 陈则瑞 于洋 仙文岭 饶竞时 
研制了与 0 .5μm标准 CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压 CMOS器件 .提出了具体的工艺制作流程 -在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程 ,并成功进行了流片试验 .测试结果显示 ,高压 NMOS耐压达到98V,高压 PMOS耐压达到 - 6 6 ...
关键词：0.5μm 高压CMOS 高低压兼容 CMOS工艺 驱动电路 
35V高压CMOS集成电路的设计被引量：1
《微电子技术》1999年第5期28-31,共4页王勇 严淼 马晓慧 
随着高压电路的广泛应用，高低压兼容电路的设计变得越来越重要。本文以VFD电路高压输出级部分的设计为例，对高压CMOS电路的设计，从工作原理、结构设计等多方面进行阐述。
关键词：高低压兼容 开漏结构 常规工艺 
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