薄栅氧高压CMOS器件研制  

Fabrication of Thin Gate Oxide High-Voltage CMOS

作　　者：刘奎伟[1] 韩郑生[1] 钱鹤[1] 陈则瑞 于洋[2] 仙文岭 饶竞时 

机构地区：[1]中国科学院微电子中心,北京100029 [2]首钢日电电子有限公司,北京100041

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第5期568-572,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：研制了与 0 .5μm标准 CMOS工艺完全兼容的薄栅氧高压 CMOS器件 .提出了具体的工艺制作流程 -在标准工艺的基础上添加两次光刻和四次离子注入工程 ,并成功进行了流片试验 .测试结果显示 ,高压 NMOS耐压达到98V,高压 PMOS耐压达到 - 6 6 V .此结构的高压 CMOS器件适用于耐压要求小于 6 0 V的驱动电路 .The thin gate oxide high voltage CMOS (HVCMOS) compatible with the 0 5μm standard CMOS process is fabricated.An idiographic process flow which only needs adding two lithography steps and four implantations in the standard CMOS technology is given.After the fabrication,the breakdown voltages of 98V for high voltage NMOS (HVNMOS) and -66V for high voltage PMOS (HVPMOS) are obtained.As a result,the HVCMOS will be applied to the driver IC that the absolute breakdown voltage value of the devices is up to 60V.

关 键 词：0.5μm 高压CMOS 高低压兼容 CMOS工艺 驱动电路 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]