与常规CMOS工艺兼容的高压PMOS器件设计与应用  

Design of High Voltage PMOSFET Compatible with Standard CMOS Technology

作　　者：李红征[1] 于宗光[2] 

机构地区：[1]江南大学信息工程学院,江苏无锡214036 [2]中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035

出　　处：《微电子学》2007年第1期41-44,共4页Microelectronics

基　　金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室基金资助项目(51433020105DZ6802)

摘　　要：采用常规P阱CMOS工艺,实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器件。制作的器件,其击穿电压为55 V,阈值电压0.92 V,驱动电流25 mA。对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造工艺、器件结构和测试等方面进行了阐述。该器件已成功应用于VFD平板显示系列电路。High voltage PMOSFET＇s compatible with standard CMOS technology is designed and implemented in a standard twin-well CMOS process. The high voltage PMOSFET has a breakdown voltage of - 55 V, a threshold voltage of - 0. 92 V and driving current of 25 mA. The fabrication process, device structure and PCM testing are described. This device is suitable for VFD driver application.

关 键 词：高低压兼容 偏置栅高压MOS 标准CMOS工艺 PMOS器件 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]