双栅氧CMOS工艺研究  

Study of Dual Gate Oxide Technology in CMOS Process

作　　者：李桦[1] 宋李梅[1] 杜寰[1] 韩郑生[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《微电子学与计算机》2005年第11期5-6,9,共3页Microelectronics & Computer

基　　金：国家重点基础研究发展计划项目(2003CB314705)

摘　　要：双栅氧工艺(dualgateoxide)在高压CMOS流程中得到了广泛的应用,此项工艺可以把薄栅氧器件和厚栅氧器件集成在同一个芯片上。文章介绍了常用的两种双栅氧工艺步骤并分析了它们的优劣。在此基础上,提出了一种实现双栅氧工艺的方法。The dual gate oxide （DGO） technology has been widely used in high-voltage CMOS process, it can integrate both thick gate oxide device and thin gate oxide device in a same chip. Two commonly used technologies are introduced and the advantages and disadvantages of them are discussed. Based on the results a new way to fabricate DGO is proposed in this paper.

关 键 词：双栅氧工艺 高压CMOS流程 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]