0.18微米CMOS工艺技术平台  

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机构地区:[1]上海集成电路研发中心有限公司

出  处:《中国集成电路》2007年第8期23-24,共2页China lntegrated Circuit

摘  要:本工艺技术平台以国际主流0.18微米CMOS工艺为目标,与世界先进的FOUNDRY工艺相匹配,并有很强的兼容性,可兼容RFCMOS、高压CMOS、Flash等各类主流产品工艺模块。其技术特征为:双工作电压(1.8伏和3.3伏)、1层多晶6层铝布线;可选嵌入式SRAM,多晶电阻、MIM电容等模拟信号器件。工艺特点有:

关 键 词:CMOS工艺 技术平台 微米 FOUNDRY 高压CMOS FLASH 工艺模块 工作电压 

分 类 号:TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]

 

参考文献:

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