栅电荷

作品数：17被引量：20H指数：4
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一种p-GaN HEMTs栅电荷表征方法
《微电子学》2024年第2期282-286,共5页刘震 潘效飞 龚平 王燕平 叶斯灿 卢澳 闫大为 
江苏省研究生科研与实践创新计划资助项目(KYCX18_1855)。
与Si基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFETs)的绝缘栅结构不同,p-GaN增强型高电子迁移率晶体管(HEMTs)的栅极结构为pn结,其在较大正向电压下处于导通状态,漏电导较大。传统栅电荷测试方法假设栅极注入电流全部存储为栅电荷,因此不...
关键词：p-GaN HEMTs 栅电荷 电流法 电容法 
6.5 kV SiC MOSFET的优化及开关特性
《半导体技术》2022年第8期612-620,共9页魏晓光 张文婷 申占伟 田丽欣 孙国胜 杨霏 
国家电网公司总部科技项目(5500-202058402A-0-0-00)。
优化设计了电力系统用6.5 kV SiC MOSFET,测得该器件的导通电流为25 A,阻断电压为6800 V,器件的巴利加优值(BFOM)达到925 MW/cm^(2)。基于感性负载测试电路测试了器件的高压开关瞬态波形。在此基础上,借助仿真软件构建6.5 kV SiC MOSFE...
关键词：碳化硅(SiC) 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) 开关瞬态 栅电荷 栅极电压振荡 
栅电荷测试方法研究
《微处理机》2017年第4期4-6,共3页张文涛 
近年来,功率半导体器件的应用领域不断扩展,对技术指标的要求日益提高。栅电荷是功率MOSFET动态特性的重要参数,在军用功率MOSFET器件研制、生产和使用过程中,对作为关键参数的栅电荷提出了更高的要求,该参数直接影响器件的整体性能,其...
关键词：栅电荷 功率 测试 频率 电压 电容 
功率MOSFET器件栅电荷测试与分析被引量：2
《电子与封装》2016年第6期21-23,共3页张文涛 皓月兰 
栅电荷是表征功率MOSFET器件动态特性的重要参数之一,其测试结果与时间和频率有关,受分布参数、测试夹具和电路结构等因素影响较大。其参数直接影响器件整体性能,设计不好将导致器件没使用时已击穿甚至损坏,在军用功率MOSFET器件研制生...
关键词：场效应晶体管 栅电荷 测试 可靠性 
VDMOS器件动态特性研究被引量：1
《微处理机》2016年第2期14-16,共3页郑莹 姜立娟 
VDMOS器件具有开关速度快、开关损耗小、频率特性好等优点,被广泛应用于高频开关器件领域。利用TCAD软件对VDMOS器件进行建模仿真,研究了元胞P阱间氧化层厚度对器件静态参数和动态参数的影响。结果表明,器件的阈值电压不变,器件的导通...
关键词：VDMOS器件 动态特性 氧化层 阈值电压 导通电阻 栅电荷 
一种改进的增强型GaNHEMT大信号模型被引量：1
《半导体技术》2015年第12期904-910,共7页陈秋芬 李文钧 刘军 陆海燕 韩春林 
提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特...
关键词：增强型GaN HEMT 大信号模型 沟道电流模型 栅电荷模型 Verilog-A语言 
用于功率MOSFET的新型栅电荷测试电路被引量：4
《半导体技术》2012年第3期231-234,共4页吴志猛 冯全源 
国家自然科学基金重大项目(60990320;60990323)
栅电荷是用于衡量功率MOSFET开关性能的重要参数,通常采用在栅极输入电流阶跃信号的方法来测量。一种新型的栅电荷测试电路被提出,该测试电路使控制信号从MOSFET的源极输入,从而消除了控制信号对栅极输入电流的影响。因为输入电流太小...
关键词：功率金属氧化物半导体场效应管 栅电荷 测试电路 源极控制信号 电流阶跃信号 
高压LDMOS晶体管宏模型及栅电荷建模方法
《现代电子技术》2011年第10期163-165,168,共4页田飞飞 吴郁 胡冬青 刘钺杨 
针对标准MOSFET的BSIM4模型在高压LDMOS建模及已有LDMOS紧凑模型的不足,提出一种LDMOS宏模型。在本研究中,借助Spectre软件分别对宏模型与BSIM4器件模型进行仿真,并对2种LDMOS器件模型下的CV结果进行对比,验证了宏模型对LDMOS器件模拟...
关键词：器件建模 高压LDMOS 宏模型 栅电荷 
第三代12 V TrenchFET功率MOSFET
《半导体信息》2009年第5期11-12,共2页刘广荣 
关键词：MOSFET 栅电荷 V TrenchFET 导通电阻 第三代 
低压大电流VDMOS器件栅电荷测量被引量：5
《实验科学与技术》2006年第B12期49-51,60,共4页蒋苓利 罗萍 蒲奎 赵璐 
为了更直观地描述低压大电流VDMOS器件特性,对器件栅电荷特性进行了测量和提取。通过栅电荷曲线(VGS-QG),能导出器件的电容特性,驱动电流大小及能量损耗等相关参数。分析了栅电荷测试电路基本原理,提出一种可行的测试电路,PSPICE仿真和...
关键词：栅电荷 栅电容 VDMOS器件 测试电路 
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