蒋苓利

作品数：3被引量：7H指数：1
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ESD应力下LDMOS器件软失效的分析及优化被引量：1
《微电子学》2012年第1期134-137,共4页韩山明 林丽娟 喻钊 蒋苓利 张波 
国家自然科学基金资助项目(60906038)
分析了发生软失效的两种原因:电场诱导和热诱导。针对一种采用0.35μm BCD工艺的LDMOS器件,讨论了改变器件漂移区长度对软泄漏电流的影响。最终通过对漂移区长度以及源端和衬底接触间距的优化,消除了器件原先存在的软泄漏电流现象,并且...
关键词：ESD 软泄漏电流 软失效 LDMOS 
衬底寄生电阻对高压器件ESD性能的影响被引量：1
《微电子学》2011年第5期766-769,共4页林丽娟 喻钊 韩山明 蒋苓利 张波 
国家自然科学基金资助项目(60906038)
随着高压集成电路的广泛应用,高压器件的ESD性能越来越受广大设计者的重视。从理论上分析了衬底寄生电阻对高压LDMOS器件ESD特性的影响,采用几种结构,对上述参数进行优化,并在0.35μm BCD工艺下进行流片试验。测试结果表明,优化衬底电...
关键词：ESD 高压器件 衬底寄生电阻 
低压大电流VDMOS器件栅电荷测量被引量：5
《实验科学与技术》2006年第B12期49-51,60,共4页蒋苓利 罗萍 蒲奎 赵璐 
为了更直观地描述低压大电流VDMOS器件特性,对器件栅电荷特性进行了测量和提取。通过栅电荷曲线(VGS-QG),能导出器件的电容特性,驱动电流大小及能量损耗等相关参数。分析了栅电荷测试电路基本原理,提出一种可行的测试电路,PSPICE仿真和...
关键词：栅电荷 栅电容 VDMOS器件 测试电路 
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