姜立娟

作品数：3被引量：3H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十七研究所更多>>
发文主题：薄膜电阻高稳定氧化层VDMOS器件动态特性更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子与封装》《微处理机》更多>>
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VDMOS器件动态特性研究被引量：1
《微处理机》2016年第2期14-16,共3页郑莹 姜立娟 
VDMOS器件具有开关速度快、开关损耗小、频率特性好等优点,被广泛应用于高频开关器件领域。利用TCAD软件对VDMOS器件进行建模仿真,研究了元胞P阱间氧化层厚度对器件静态参数和动态参数的影响。结果表明,器件的阈值电压不变,器件的导通...
关键词：VDMOS器件 动态特性 氧化层 阈值电压 导通电阻 栅电荷 
高稳定薄膜电阻技术及其应用被引量：2
《微处理机》2008年第4期44-45,共2页张丽 姜立娟 
首先对有关薄膜电阻的理论作了一定的探讨,得出薄膜电阻随电阻率的增加,其温度系数将会减小;在一定厚度范围内薄膜厚度减小,其温度系数减小;适当的成膜工艺能控制和改善电阻的温度系数的结论。给出了制备薄膜电阻的试验方法(调整薄膜的...
关键词：薄膜电阻 高精度 高稳定 
大规模集成电路抗热载流子设计
《电子与封装》2008年第4期25-28,共4页姜立娟 赵峰 唐拓 
文章主要介绍了热载流子效应机理及产生原因,从其机理出发着重介绍了抗热载流子效应的设计方法。影响CMOS电路热载流子效应的因素有:晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率以及晶体管在电路中的位置。通过对这些因素的研究,...
关键词：热载流子 可靠性设计 CMOS集成电路 
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