唐拓

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十七研究所更多>>
发文主题：ESD保护CMOS电路可控硅静态时序分析静电放电更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子与封装》《微处理机》更多>>
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专用集成电路静态时序分析
《微处理机》2012年第2期17-18,22,共3页唐拓 张伟 
随着制程进入深亚微米时代,芯片设计和片上系统(SoC)设计越来越复杂,此一趋势使得如何确保IC质量成为目前所有设计从业人员不得不面临的重大课题。简单介绍了静态时序分析的基础概念及其在IC设计流程中的应用。
关键词：专用集成电路设计 设计约束 静态时序分析 
CMOS电路ESD保护结构设计被引量：1
《微处理机》2010年第2期30-31,35,共3页张伟 唐拓 
静电放电是CMOS电路中最为严重的失效机理之一,严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性,研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理,分析了该结构对版图的相关要求,重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。
关键词：静电放电 可控硅 闩锁 
大规模集成电路抗热载流子设计
《电子与封装》2008年第4期25-28,共4页姜立娟 赵峰 唐拓 
文章主要介绍了热载流子效应机理及产生原因,从其机理出发着重介绍了抗热载流子效应的设计方法。影响CMOS电路热载流子效应的因素有:晶体管的几何尺寸、开关频率、负载电容、输入速率以及晶体管在电路中的位置。通过对这些因素的研究,...
关键词：热载流子 可靠性设计 CMOS集成电路 
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