田飞飞

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发文主题：NPT-IGBT宏模型高压LDMOS建模方法开关特性更多>>
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高压LDMOS晶体管宏模型及栅电荷建模方法
《现代电子技术》2011年第10期163-165,168,共4页田飞飞 吴郁 胡冬青 刘钺杨 
针对标准MOSFET的BSIM4模型在高压LDMOS建模及已有LDMOS紧凑模型的不足,提出一种LDMOS宏模型。在本研究中,借助Spectre软件分别对宏模型与BSIM4器件模型进行仿真,并对2种LDMOS器件模型下的CV结果进行对比,验证了宏模型对LDMOS器件模拟...
关键词：器件建模 高压LDMOS 宏模型 栅电荷 
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