VDMOS过温保护功能的实现  

Realization of Over-Temperature Protection for VDMOS

作　　者：何建[1] 谭开洲[2] 徐学良[3] 王健安[3] 陈光炳[2] 刘小龙[4] 任敏[4] 李泽宏[4] 张金平[4] 

机构地区：[1]中国民航飞行学院,四川广汉618307 [2]模拟集成电路重点实验室,重庆400060 [3]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060 [4]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054

出　　处：《微电子学》2012年第3期352-355,共4页Microelectronics

摘　　要：提出一种内部集成过温保护功能的VDMOS器件。对传统过温保护原理进行了分析,在此基础上,提出了一种适用于功率器件过温保护的改进电路结构。仿真结果表明,该器件在温度超过174℃时实现自关断,在温度降回142℃时实现自重启。该温度迟滞功能可有效防止热振荡。A vertical double-diffusion MOSFET （VDMOS） integrated with over-temperature protection function was proposed. Mechanism of over-temperature protection was analyzed, and an improved over-temperature protec- tion circuit was presented for power device. Simulation results showed that the proposed device could be turned off at 174 ℃ and restart at 142℃. This thermal hysteresis function could effectively prevent the device from thermal oscillation.

关 键 词：VDMOS 过热保护 可靠性 热滞回 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]