高伟

作品数：8被引量：43H指数：3
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发文主题：发光二极管ALGAINPLED耗能金属阻尼器更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术交通运输工程医药卫生更多>>
发文期刊：《北京工业大学学报》《应用光学》《光电子．激光》《固体电子学研究与进展》更多>>
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功率LED高低温特性研究被引量：2
《北京工业大学学报》2011年第7期961-966,共6页郭伟玲 李瑞 贾学姣 高伟 崔德胜 沈光地 
国家'八六三'计划资助项目(2009AA03A1A3)
对自制的GaN基大功率白光和蓝光LED及AlGaInP基的大功率红光和黄光LED进行了低温和高温下的光电特性测试,对不同材料的LED的正向电压、相对光强、波长、色温等参数随温度变化的关系进行了测试.实验结果表明,温度对功率型LED的光电特性...
关键词：功率LED 低温 正向电压 峰值波长. 
新型表面再构的倒装AlGaInP LED被引量：2
《光电子．激光》2010年第8期1129-1132,共4页郭婧 邹德恕 高伟 秦园 刘自可 沈光地 
国家高新技术研究发展计划资助项目(2006AA03A121)
研究一种表面再构的具有全方位反光镜(ODR)结构的倒装AlGaInP半导体发光二极管(LED)。通过湿法腐蚀方法再构N-AlGaInP盖层表面,形成类金字塔的表面结构,使不同角度入射的光有更多的机会出射。比较了表面再构LED与常规LED的电、光学特性...
关键词：ALGAINP 表面再构 提取效率 倒装 
ICP刻蚀GaP表面形貌控制(英文)被引量：1
《纳米技术与精密工程》2010年第3期281-283,共3页蒋文静 徐晨 邓琛 高伟 沈光地 
国家自然科学基金资助项目(SQ2007AA03Z431230);北京市属高等学校人才强教计划资助项目(05002015200504)
不同角度的GaP表面形貌刻蚀主要依赖于刻蚀参数的调节以及光刻胶的形貌,但要得到能够重复的光刻胶形貌是很困难的.研究了如何通过调节感应耦合等离子(ICP)刻蚀仪器本身的参数,而不依赖于不定的光刻胶形貌来得到可重复的表面形貌.通过研...
关键词：感应耦合等离子刻蚀 刻蚀形貌 等离子体 
GaN基功率LED高低温特性研究被引量：3
《固体电子学研究与进展》2010年第2期304-307,共4页贾学姣 郭伟玲 高伟 裘利平 李瑞 毛德丰 沈光地 
国家863项目(2009AA03A1A3,2008AA03A192);国家重大专项(2008ZX10001-014);科技部技术创新基金项目(09C26221100138)
首次对自制的GaN基大功率白光和蓝光发光二极管在-30~100°C的温度下进行了在线的光电特性测试,对两种不同LED的正向电压、相对光强、波长、色温等参数随温度变化的关系进行了数据曲线拟合,对比分析了参数变化的原因,以及这些变化对实...
关键词：氮化镓 功率发光二极管 低温 正向电压 峰值波长 
大功率白光LED电流应力可靠性测试被引量：4
《北京工业大学学报》2009年第3期297-300,共4页陈建新 贺卫利 郭伟玲 高伟 史辰 陈曦 周丹 郑昕 
北京市教委科技成果转化与产业化建设-大学科技园(05002790200703);企事业委托课题高亮度LED的应用技术与产业化研究(40002790200608).
为了测试大功率白光LED的可靠性,对1 W和3 W大功率白光LED进行各3组以电流为应力的可靠性试验.试验结果表明:影响大功率白光LED可靠性的主要因素为结温和荧光粉失效;大功率白光LED缓变失效过程中,光通量下降的幅度为15%～20%;试验开始...
关键词：大功率白光LED 可靠性 失效 催化升高 
大功率发光二极管可靠性和寿命评价试验方法被引量：29
《应用光学》2008年第4期533-536,561,共5页贺卫利 郭伟玲 高伟 史辰 陈曦 吴娟 陈建新 
北京市教委项目(10200650)
介绍了发光二极管(LED)的发展简史。提出可能影响LED可靠性的几种因素,主要有封装中的散热问题和LED本身材料缺陷。对于LED可靠性,主要方法是通过测试其寿命来分析其可靠性,一般采取加速实验的方法来测试推导LED寿命。介绍了根据加速应...
关键词：发光二极管 寿命评价试验方法 加速应力 数学模型 
AlGaInP发光二极管的全方位反射镜研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2008年第4期537-539,共3页高伟 邹德恕 郭伟玲 宋欣原 孙浩 沈光地 
北京市人才强教计划项目(批准号:05002015200504);北京市科委高效高亮度单芯片半导体照明器件的研发与产业化(批准号:D0404003040221);北京工业大学研究生科技基金(编号YKJ-2007-1586)资助
全方位反射镜(ODR)AlGaInP发光二极管能够有效提高光提取效率。对全方位反射镜的设计及工艺进行优化:采用λ/4n厚的SiO2作为介质,光刻腐蚀导电孔,带胶保护,溅射AuZnAu,剥离后,再溅射300nmAu层,形成的ODR退火后在波长630nm处的反射率为72...
关键词：铝镓铟磷 发光二极管 全方位反射镜 
一种新型全方位反射AlGaInP薄膜发光二极管被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第4期751-753,共3页高伟 邹德恕 李建军 郭伟玲 沈光地 
北京市人才强教计划项目(批准号:05002015200504);北京市科委高效高亮度单芯片半导体照明器件的研发与产业化(批准号:D0404003040221)资助项目~~
提出了一种新型全方位反射AlGaInP LED结构和制作工艺.GaAs外延片与含导电孔的SiO2,Au形成全方位反射镜后,银浆键合在Si支架上,去除GaAs衬底,制作薄AuGeNi电极,粗化,生长ITO,制作厚AuGeNi电极,合金则形成ODR薄膜LED结构.300μm×300μm...
关键词：铝镓铟磷 薄膜发光二极管 全方位反射镜 
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