表面再构

作品数：14被引量：15H指数：2
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新型表面再构的倒装AlGaInP LED被引量：2
《光电子．激光》2010年第8期1129-1132,共4页郭婧 邹德恕 高伟 秦园 刘自可 沈光地 
国家高新技术研究发展计划资助项目(2006AA03A121)
研究一种表面再构的具有全方位反光镜(ODR)结构的倒装AlGaInP半导体发光二极管(LED)。通过湿法腐蚀方法再构N-AlGaInP盖层表面,形成类金字塔的表面结构,使不同角度入射的光有更多的机会出射。比较了表面再构LED与常规LED的电、光学特性...
关键词：ALGAINP 表面再构 提取效率 倒装 
研究简讯
《中国基础科学》2006年第6期4-7,共4页
关键词：MGB2超导体 高分子聚合物 临界电流密度 选择性氧化 电子计数 表面再构 金属诱导 各向异性 
科研进展
《中国科学院院刊》2006年第6期494-499,共6页
科学家提出金属诱导下半导体表面再构的普适电子计数模型 物理所博士研究生张立新与导师王恩哥研究员及薛其坤、张绳百、张振宇研究员合作，在大量第一性原理计算和进一步与实验结果比较的基础上，提出了一个“普适电子计数模型”（Gen...
关键词：第一性原理计算 半导体表面 科研 电子计数 金属诱导 物理性质 博士研究生 表面再构 
Mn/GaAs(001)的表面再构与Mn的磁矩研究被引量：3
《物理学报》2006年第1期142-147,共6页张立新 王恩哥 
国家自然科学基金(编号:60021403);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002AA311151)资助的课题~~
通过第一性原理计算,系统地研究了Mn/GaAs(001)表面的各种再构和相应的局域电子态密度分布,以及表面上Mn的磁矩与各种再构间的对应关系.结果发现,Mn的行为类似电荷施主,将向GaAs表面提供电子,数量依表面的需求而定;直接与Mn的磁矩相联系...
关键词：表面再构 Mn/GaAs(001) 第一性原理计算 
Si(100)衬底上SiC的外延生长被引量：6
《材料研究学报》2000年第B01期91-93,共3页王引书 李晋闽 张方方 林兰英 
在 １０５０ ℃下用 Ｓｉ２Ｈ６和 Ｃ２Ｈ４在 Ｓｉ（１００）衬底上外延生长了 ３Ｃ－ＳｉＣ，生长前只通入Ｃ２Ｈ４将 Ｓｉ衬底碳化形成 ＳｉＣ缓冲层碳化过程中 Ｃ２Ｈ４与 Ｓｉ表面反应形成了 ＳｉＣ孪晶，但随着生长时间的延长，...
关键词：外延生长 表面再构 RAMAN光谱 单晶生长 单晶薄膜 碳化硅 硅衬底 
表面再构对Ⅲ—Ⅴ族半导体界面结构的影响
《电子材料快报》1999年第10期14-15,共2页徐永宽 
关键词：Ⅲ-Ⅴ族 化合物半导体 界面结构 
低真空高能电子反射衍射仪在材料分析中的应用被引量：1
《云南大学学报（自然科学版）》1999年第S1期66-69,共4页高伟 陈尔纲 
阐述了利用型号为ＹＷＤ－１Ａ的扫描电子显微镜如何改造成高能电子反射衍射仪（ＲＨＥＥＤ）．利用该台高能电子反射衍射仪的衍射花样对ＣｄＺｎＴｅ，ＨｇＣｄＴｅ半导体材料的表面结构进行测定，证实了ＣｄＺｎＴｅ（１１１）Ｂ和Ｈ...
关键词：高能电子反射衍射(RHEED) 晶格常数 表面再构 
最小能量原理在晶体结构中的实验验证被引量：2
《大学物理》1997年第2期1-4,共4页梁励芬 
面向21世纪教学改革"基金
用最小能量原理探讨晶体的平衡结构及表面结构介绍了用扫描隧道显微镜测得的Ｓｉ（１００）表面再构和吸附氢以后的表面结构。
关键词：最小能量原理 表面再构 驰豫 晶体 
控制脉冲还原法研究氧化物Bi_3FeMo_2O_（12）的表面再构
《Chinese Journal of Chemical Physics》1995年第2期183-186,共4页赵德华 马志广 臧雅茹 潘荫明 赵学庄 
国家自然科学基金;国家教委博士点基金
本文采用控制脉冲还原法研究了丙烯选择氧化催化剂Ｂｉ３Ｆ３ＭＯ２Ｏ１２在还原过程中的表面再构作用存在一个还原度阀值．对表面再构的机理提出了一些看法．
关键词：脉冲还原法 丙烯 表面再构 氧化物 铋 铁 钼 
GaSb(100)的表面再构被引量：1
《物理学报》1992年第8期1315-1321,共7页贺仲卿 侯晓远 丁训民 
国家自然科学基金
用低能电子衍射(LEED),光电子能谱(XPS和UPS)研究GaSb(100)表面的各种再构:c(2×6),(1×3)和(2×3)。所有这三种再构表面都以有失列的Sb原子结尾。在Sb气氛中退火可使分子束外延(MBE)制备的、表面Sb原子形成二聚物的c(2×6)再构和离子...
关键词：GaSb(100) 表面再构 LEED XPS 
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