GaSb(100)的表面再构  

SURFACE RECONSTRUCTION OF GaSb(lOO)

作　　者：贺仲卿[1] 侯晓远[1] 丁训民[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433

出　　处：《物理学报》1992年第8期1315-1321,共7页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：用低能电子衍射(LEED),光电子能谱(XPS和UPS)研究GaSb(100)表面的各种再构:c(2×6),(1×3)和(2×3)。所有这三种再构表面都以有失列的Sb原子结尾。在Sb气氛中退火可使分子束外延(MBE)制备的、表面Sb原子形成二聚物的c(2×6)再构和离子轰击加退火(IBA)制备的、表面存在Ga岛的(2×3)再构均变为简单的(1×3)再构。Various reconstructions (c(2×6), (1× 3) and (2×3)) of the GaSb (100) surface have been studied by LEED, XPS and UPS. All the three reconstructed surfaces are terminated by Sb atoms with some rows missing. Annealing in an Sb environment of both MBE-prepared, Sbdimerized c(2×6) reconstruction and IBA-prepared, Gaislands-existing (2×3) reconstruction leads to the same (1×3) reconstruction.

关 键 词：GaSb(100) 表面再构 LEED XPS 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]