贺仲卿

作品数：5被引量：4H指数：1
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供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
发文主题：氮化镓氮源离子源离子束离子化更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《物理学报》《物理》《Journal of Semiconductors》更多>>
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用高分辨电子能量损失谱和紫外光电子谱研究多孔硅的电子结构被引量：1
《Journal of Semiconductors》1995年第1期13-18,共6页郝平海 侯晓远 丁训民 贺仲卿 蔡卫中 王迅 
国家自然科学基金
本文首次使用分辨电子能量损失谱（ＨＲＥＥＬＳ）和紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究新腐蚀的多孔硅样品（ＰＳ）的电子结构．实验结果发现，从ＨＲＥＥＬＳ谱中能量损失阈值测得的多孔硅的能隙最可几值移到２．９ｅＶ左右，与文献报道的...
关键词：多孔硅 电子结构 电子能量损失谱 紫外光电子谱 
GaN异质外延的离子化氮源方法被引量：2
《物理学报》1994年第7期1123-1128,共6页贺仲卿 丁训民 侯晓远 王迅 沈孝良 
国家自然科学基金
用电离Ｎ＿２产生的离子束作为外延生长氮化物的Ｎ源已获得成功，在ＧａＡｓ（１００）衬底上长出了具有立方结晶的ＧａＮ薄膜，其（２００）ｘ射线衍射峰宽仅２３’。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方ＧａＮ的表面光学声子出现在损...
关键词：氮化镓 外延生长 离子源 离子束 
分子束外延生长GaN薄膜的新方法
《物理》1993年第10期636-636,共1页贺仲卿 丁训民 王迅 
关键词：分子束外延 氮化镓 薄膜 
P与GaAs(100)表面相互作用的温度效应
《物理学报》1992年第10期1728-1736,共9页卢学坤 郝平海 贺仲卿 侯晓远 丁训民 
国家自然科学基金
本文采用原位X射线光电子能谱、紫外光电子能谱、高分辨率电子能量损失谱和低能电子衍射技术,研究了温度对P与GaAs(100)表面相互作用的影响。结果表明,经退火后,室温下淀积于GaAs表面的非晶P大部分脱附,仅剩下少量无规分布于表面的P集...
关键词：表面 磷 砷化镓 相互作用 温度相关 
GaSb(100)的表面再构被引量：1
《物理学报》1992年第8期1315-1321,共7页贺仲卿 侯晓远 丁训民 
国家自然科学基金
用低能电子衍射(LEED),光电子能谱(XPS和UPS)研究GaSb(100)表面的各种再构:c(2×6),(1×3)和(2×3)。所有这三种再构表面都以有失列的Sb原子结尾。在Sb气氛中退火可使分子束外延(MBE)制备的、表面Sb原子形成二聚物的c(2×6)再构和离子...
关键词：GaSb(100) 表面再构 LEED XPS 
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