分子束外延生长GaN薄膜的新方法  

作　　者：贺仲卿[1] 丁训民[1] 王迅[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室

出　　处：《物理》1993年第10期636-636,共1页Physics

关 键 词：分子束外延 氮化镓 薄膜 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]