GaN异质外延的离子化氮源方法  

HETEROEPITAXY OF GaN BY USING AN IONIZED N SOURCE

作　　者：贺仲卿[1] 丁训民[1] 侯晓远[1] 王迅[1] 沈孝良[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室,复旦大学分析测试中心

出　　处：《物理学报》1994年第7期1123-1128,共6页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：用电离Ｎ＿２产生的离子束作为外延生长氮化物的Ｎ源已获得成功，在ＧａＡｓ（１００）衬底上长出了具有立方结晶的ＧａＮ薄膜，其（２００）ｘ射线衍射峰宽仅２３’。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方ＧａＮ的表面光学声子出现在损失能量为８２ｍｅＶ处．The ion beam producing ionization of N2 was successfully utilized as the N source for nitride growth. The cubic GaN thin films were thus grown on the GaAs(100) substrates. The width of the (200) X-ray diffraction peak of the epilayer is 23' only, and the high-resolution electron energy loss spectroscopy measurements show that the optical surface phonon of cubic GaN appears at the loss energy of 82 meV.

关 键 词：氮化镓 外延生长 离子源 离子束 

分 类 号：TN304.054[电子电信—物理电子学]