郝平海

作品数:8被引量:20H指数:3
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供职机构:复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
发文主题:多孔硅发光电致发光发光多孔硅更多>>
发文领域:电子电信理学更多>>
发文期刊:《物理学报》《物理》《Journal of Semiconductors》《光学学报》更多>>
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用高分辨电子能量损失谱和紫外光电子谱研究多孔硅的电子结构被引量:1
《Journal of Semiconductors》1995年第1期13-18,共6页郝平海 侯晓远 丁训民 贺仲卿 蔡卫中 王迅 
国家自然科学基金
本文首次使用分辨电子能量损失谱(HREELS)和紫外光电子能谱(UPS)研究新腐蚀的多孔硅样品(PS)的电子结构.实验结果发现,从HREELS谱中能量损失阈值测得的多孔硅的能隙最可几值移到2.9eV左右,与文献报道的...
关键词:多孔硅 电子结构 电子能量损失谱 紫外光电子谱 
空间限制与应变对发光多孔硅喇曼光谱的影响被引量:5
《物理学报》1994年第3期494-498,共5页杨敏 黄大鸣 郝平海 张甫龙 侯晓远 王迅 
发光多孔硅的喇曼光谱在520cm ̄(-1)附近呈现一锐峰,峰位的红移随多孔度的增大而增大采用微晶模型拟合喇曼谱的线形,发现除了光学声子的空间限制效应,硅单晶的应变对峰位的移动也有显著贡献。通过谱形的拟合估算了硅微粒的...
关键词:多孔硅 发光 散射谱 应变 空间限制 
多孔硅结构与发光机理的非线性光学研究
《光学学报》1993年第5期388-392,共5页王健 蒋红兵 王文澄 郑家骠 张甫龙 郝平海 候晓远 王迅 
国家自然科学基金的资助
最近的研究中,采用1.06μm超短脉冲光激发,在多孔硅表面观察到了有效的红外多光子激发的荧光发射.研究表明,这是一个增强的三阶非线性光学过程.本文利用其三阶非线性特性对具有强可见光发射的多孔硅结构进行了研究,结果显示晶体硅的各...
关键词:多孔硅 发光  非线性光学 
多孔硅的电致发光研究被引量:10
《Journal of Semiconductors》1993年第3期139-142,共4页张甫龙 郝平海 史刚 侯晓远 丁训民 黄大鸣 王迅 
863青年基金
本文研究了多孔硅的电致发光现象。在多孔硅上淀积了半透明金膜后,当正向偏压加到15V、电流密度100mA/cm^2时,观察到了稳定的电致可见光发射现象。伏安曲线的测量表明它有明显的类似二极管的整流特性。
关键词: 多孔硅 电致发光 
多孔硅研究的新进展——蓝光发射
《自然科学进展(国家重点实验室通讯)》1993年第3期279-281,共3页王为 史刚 张甫龙 郝平海 黄大鸣 侯晓远 王迅 
国家自然科学基金
近年来,人们发现室温下多孔硅能够发射可见光,这使得全硅光电子集成有可能得以实现.由于这一诱人的应用前景以及多孔硅发射可见光的机理研究本身具有极大的物理意义,因而使多孔硅的发光研究成为近年来一大热点. 然而迄今为止,人们所获...
关键词:多孔硅 光致发光 荧光显微  
多孔硅量子约束效应导致的红外多光子激发荧光被引量:2
《Journal of Semiconductors》1992年第12期773-776,共4页王健 蒋红兵 王文澄 郑家骠 张甫龙 郝平海 侯晓远 王迅 
采用超短脉冲近红外光(1.06μm)激发,首先在多孔硅表面观察到了较强的可见区荧光产生.荧光强度与激发光强度的三次方关系表明,有效的荧光产生起源于三阶非线性光学效应的增强.对多孔度低的样品观察不到这种荧光发射.通过与多孔硅的紫外...
关键词:多孔硅 光子激发 荧光 
硅的可见光发射──通向全硅光电子集成之途被引量:3
《物理》1992年第6期341-343,共3页王迅 侯晓远 郝平海 
由于Si是一种禁带宽度只有1.1eV的间接带隙材料,其发光效率极低,因此长期以来Si被认为是一种不可能用于制作可见光区光电器件的材料.但近一两年才出现的多孔硅光致发光现象,对人们的这种传统概念产生了巨大的冲击,一股多...
关键词: 可见光发射 多孔硅 
P与GaAs(100)表面相互作用的温度效应
《物理学报》1992年第10期1728-1736,共9页卢学坤 郝平海 贺仲卿 侯晓远 丁训民 
国家自然科学基金
本文采用原位X射线光电子能谱、紫外光电子能谱、高分辨率电子能量损失谱和低能电子衍射技术,研究了温度对P与GaAs(100)表面相互作用的影响。结果表明,经退火后,室温下淀积于GaAs表面的非晶P大部分脱附,仅剩下少量无规分布于表面的P集...
关键词:表面  砷化镓 相互作用 温度相关 
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