杨敏

作品数：6被引量：12H指数：2
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供职机构：复旦大学物理学系李政道物理学综合实验室更多>>
发文主题：分子束外延发光多孔硅散射谱掺硼更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《物理学报》《Journal of Semiconductors》《应用科学学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划国家教委资助优秀年轻教师基金基础研究重大项目前期研究专项更多>>
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重掺硼的分子束外延硅的喇曼光谱研究
《应用科学学报》1995年第4期413-418,共6页王建宝 袁健 杨敏 黄大鸣 陆方 孙恒慧 
国家自然科学基金资助项目及国家科委基础研究及应用基础研究重大项目
研究了重掺硼分子束外延硅的载流子浓度对喇曼光谱线型的影响。以单声子态和准连续电子激发态之间的Ｆａｎｏ相互作用理论为基础，对实验结果进行了讨论和拟合。由拟合得到的喇曼光谱的半峰宽、峰移、峰高和不对称因子等各参数之间的关...
关键词：掺硼 硅 散射谱 分子束外延 
Si_(1-x)Ce_x/Si量子阱发光材料制备及特性研究被引量：2
《物理学报》1995年第6期995-1002,共8页杨宇 卢学坤 黄大鸣 蒋最敏 杨敏 章怡 龚大卫 陈祥君 胡际璜 张翔九 赵国庆 
国家自然科学基金部份资助的课题
在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对...
关键词：硅锗合金 量子阱 发光材料 特性 分子束外延 
快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性
《物理学报》1994年第7期1137-1143,共7页袁健 陆 昉 孙恒慧 卫星 杨敏 黄大鸣 徐宏来 沈鸿烈 邹世昌 
国家自然科学基金;国家科学技术委员会基础研究及应用基础研究重大项目
对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡...
关键词：分子束外延 快速退火 电学性质 
SiGe／Si量子阱结构材料的激子发光谱被引量：4
《Journal of Semiconductors》1994年第3期213-216,共4页黄大鸣 杨敏 盛篪 卢学坤 龚大卫 张翔九 王迅 
国家科委基础及应用基础研究重点项目;国家自然科学基金;国家教委优秀年轻教师基金;上海市科委启明星计划资助
在用分子束外延生长的ＳｉＧｅ／Ｓｉ多量子阱结构中，观察到激子发光光谱，从无声子参与的或ＴＯ－声子参与的激子发光峰位能量，计算了量子阱中合金的组份，并与通过Ｘ－射线衍射谱得到的结果作了比较，发现在Ｇｅ的组份比较小时，利...
关键词：SIGE/SI 量子阱 激子 发光谱 
多孔硅发光稳定性的改进被引量：1
《物理学报》1994年第3期499-504,共6页张甫龙 侯晓远 杨敏 黄大鸣 王迅 
国家自然科学基金
采用在热ＨＮＯ，中对多孔度较低的多孔硅样品进行氧化的方法，我们获得了稳定性和均匀性都较好的多孔硅样品。这是一种不同于快速热氧化且更方便易行的方法。另外还用ＳＥＭ和ＦＴＩＲ对其特性进行了研究。
关键词：多孔硅 发光 稳定性 
空间限制与应变对发光多孔硅喇曼光谱的影响被引量：5
《物理学报》1994年第3期494-498,共5页杨敏 黄大鸣 郝平海 张甫龙 侯晓远 王迅 
发光多孔硅的喇曼光谱在５２０ｃｍ￣（－１）附近呈现一锐峰，峰位的红移随多孔度的增大而增大采用微晶模型拟合喇曼谱的线形，发现除了光学声子的空间限制效应，硅单晶的应变对峰位的移动也有显著贡献。通过谱形的拟合估算了硅微粒的...
关键词：多孔硅 发光 散射谱 应变 空间限制 
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