多孔硅发光稳定性的改进  

IMPROVEMENT OF THE STABILITY OF POROUS SILICON BY CHEMICAL METHOD

作　　者：张甫龙[1] 侯晓远[1] 杨敏[1] 黄大鸣[1] 王迅[1] 

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室

出　　处：《物理学报》1994年第3期499-504,共6页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：采用在热ＨＮＯ，中对多孔度较低的多孔硅样品进行氧化的方法，我们获得了稳定性和均匀性都较好的多孔硅样品。这是一种不同于快速热氧化且更方便易行的方法。另外还用ＳＥＭ和ＦＴＩＲ对其特性进行了研究。Porous silicon of low porosity was oxidized in boiling HNO_3 solution.Photo- Iuminescence,micfoluminescence and SEM studies show that stability and the uniformity of the sample were greatly improved by such a treatment.This is anew method much easier to control than rapid thermal oxidation.

关 键 词：多孔硅 发光 稳定性 

分 类 号：O472.3[理学—半导体物理]