李冰寒

作品数:6被引量:2H指数:1
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供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题:欧姆接触N-GAAS砷化镓直流特性GAAS更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《功能材料与器件学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金:国家自然科学基金“上海-应用材料研究与发展”基金更多>>
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不同集电结结构的AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管
《固体电子学研究与进展》2005年第3期294-298,314,共6页李冰寒 刘文超 周健 夏冠群 
设计并制备了三种不同集电结结构的A lG aInP/G aA s异质结双极晶体管,计算给出了三种集电结能带结构。通过对三种HBT的直流特性测试表明,N pN型HBT因异质集电结的导带尖峰出现电子阻挡效应;N p iN型HBT集电结引入i-G aA s层能有效克服...
关键词:异质结双极晶体管 铝镓铟磷/砷化镓 直流特性 
高温AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管被引量:1
《Journal of Semiconductors》2005年第4期756-759,共4页刘文超 夏冠群 李冰寒 黄文奎 
国家自然科学基金(批准号:69576035);上海应用材料研究与发展基金资助项目~~
利用Mo/W/Ti/Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管(DHBT),分析了与传统AuGeNi作为接触电极的AlGaInP/GaAsDHBT的直流特性差异.研究结果表明,利用难熔金属作为欧姆接触...
关键词:AlGaInP/GaAs 双异质结双极晶体管 Mo/W/Ti/Au 直流特性 
难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性
《Journal of Semiconductors》2005年第1期57-61,共5页刘文超 夏冠群 李冰寒 黄文奎 刘延祥 
用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W /Ti/Au多层金属和n GaAs材料的欧姆接触 ,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和 (NH4) 2 S溶液对n GaAs材料的表面进行处理 .用传输线法对比接触电阻进行了测试 ,并利用俄歇电子能谱 (AES)、X射线...
关键词:Mo/W/Ti/Au GAAS 欧姆接触 钝化 
Au/Ti/W/Ti与n-GaAs欧姆接触的特性研究
《功能材料与器件学报》2003年第4期429-431,共3页刘文超 李冰寒 周健 夏冠群 
用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,用传输线法对其比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射图谱(XRD)对接触的微观结构进行了研究。结果表明该接触在700℃时比接触电阻为...
关键词:砷化镓 欧姆接触 磁控溅射 合金化 多层金属 接触电阻 俄歇电子能谱 XRD 
AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管直流特性研究被引量:1
《功能材料与器件学报》2003年第3期327-332,共6页李冰寒 刘文超 周健 夏冠群 
制备了大尺寸AlGaInP/GaAsSHBT和DHBT,对其直流特性进行了测试,并分析了AlGaInP/GaAs单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(DHBT)的直流特性差异,深入研究了影响AlGaInP/GaAsHBT开启电压(Voffset)的各个因素。结果表明:AlGaInP/GaAsHB...
关键词:AlGaInP/GaAs 异质结双极晶体管 直流特性 开启电压 SHBT DHBT 
Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究
《功能材料与器件学报》2002年第2期187-190,共4页周健 夏冠群 刘文超 李冰寒 王嘉宽 郝幼申 
对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600~6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而6900C以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致。为0.18μm以...
关键词:退火 热扩散 薄膜电阻 SI衬底 Ta-N/Cu薄膜 
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