郝幼申

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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：SI衬底薄膜电阻性能研究热扩散退火更多>>
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Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究
《功能材料与器件学报》2002年第2期187-190,共4页周健 夏冠群 刘文超 李冰寒 王嘉宽 郝幼申 
对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600～6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而6900C以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致。为0.18μm以...
关键词：退火 热扩散 薄膜电阻 SI衬底 Ta-N/Cu薄膜 
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