难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性  

Electrical and Structural Properties of Mo/W/Ti/AuOhmic Contacts to n-GaAs

作　　者：刘文超[1] 夏冠群[1] 李冰寒[1] 黄文奎[1] 刘延祥[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第1期57-61,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W /Ti/Au多层金属和n GaAs材料的欧姆接触 ,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和 (NH4) 2 S溶液对n GaAs材料的表面进行处理 .用传输线法对比接触电阻进行了测试 ,并利用俄歇电子能谱 (AES)、X射线衍射图谱 (XRD)对接触的微观结构进行了分析 .结果表明 ,用 (NH4) 2 S溶液对n GaAs材料表面进行处理后 ,比接触电阻最小 ;在 70 0℃快速合金化后获得最低的比接触电阻 ,约为 4 5× 10 -6Ω·cm2 .这是由于 (NH4) 2 S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度 ,消除了费米能级钉扎效应 。Thermally stable ohmic contacts of Mo/W/Ti/Au on n-GaAs are fabricated with magnetic charge spattering unit and rapid thermal annealing.The electrical and structural properties of Mo/W/Ti/Au ohmic contacts are studied by the contact resistivity,analyzing auger energy spectrum(AES) and X-ray diffraction(XRD) measured.The I-V characteristics of this structure behaved in ohmic-junction characteristics,indicating that (NH 4) 2S passivation eliminated Fermi level pinning.Electrical measurement shows a minimum ohmic contact resistivity of 4.5×10 -6Ω·cm 2 at 700℃.

关 键 词：Mo/W/Ti/Au GAAS 欧姆接触 钝化 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]