高温AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管  

A Novel High-Temperature AlGaInP/GaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor

作　　者：刘文超[1] 夏冠群[1] 李冰寒[1] 黄文奎[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第4期756-759,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:69576035);上海应用材料研究与发展基金资助项目~~

摘　　要：利用Mo/W/Ti/Au难熔金属作为发射极欧姆接触设计并制作了一种用于功率放大器的新结构AlGaInP/GaAs双异质结双极晶体管(DHBT),分析了与传统AuGeNi作为接触电极的AlGaInP/GaAsDHBT的直流特性差异.研究结果表明,利用难熔金属作为欧姆接触电极的DHBT器件具有较好的高温特性,并进一步分析了其具有良好高温特性的机理.A novel AlGaInP/GaAs double heterojunction bipolar transistor (DHBT) is designed and fabricated for power amplifiers.DC characteristics of AlGaInP/GaAs DHBT are studied.We also investigate the difference of DC characteristics between high-temperature DHBT and conventional DHBT.In addition,several electrical factors affecting high-temperature characteristics are discussed in detail.

关 键 词：AlGaInP/GaAs 双异质结双极晶体管 Mo/W/Ti/Au 直流特性 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]