张剑铭

作品数：15被引量：41H指数：4
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供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室更多>>
发文主题：发光二极管导电型欧姆接触半导体工艺高亮更多>>
发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《激光与光电子学进展》《固体电子学研究与进展》《中国科学：信息科学》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划北京市教委资助项目北京市人才强教计划项目国家高技术研究发展计划更多>>
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高光提取效率的倒装GaN基LED的研究
《中国科学（F辑:信息科学）》2009年第9期1021-1026,共6页达小丽 沈光地 徐晨 邹德恕 朱彦旭 张剑铭 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902);北京市人才强教计划(批准号:05002015200504)资助项目
为了获得更高的光输出功率,采用倒装的结构.研究了p-GaN面生长金属高反镜前后GaN面的出光量.在p-GaN的表面上生长金属高反镜后,设计使用PECVD法在整个芯片上生长SiO_2/SiN_x多层介质膜高反镜,然后再腐蚀去除电极上的多层介质膜高反镜,...
关键词：氮化镓 发光二极管 SiO2/SiNx 多层介质膜高反镜 等离子体增强 化学气相沉积 
高亮度LED中ODR反光镜反射率温度特性研究
《固体电子学研究与进展》2008年第3期396-399,共4页宋欣原 邹德恕 张剑铭 刘思南 沈光地 
国家973计划(20000683-02);北京市教委项目(2002kj018);北工大博士启动基金(kz0204200387);国家自然科学基金(60407009);北京自然科学基金(4032007)
对Al/SiO2、Al/ITO、Au/SiO2、Au/ITO构成的ODR(Omni-directional reflector)结构,对应400～800 nm的不同波长,在不同温度下,对于反光镜的反射率的影响,进行了研究。提出了在460 nm的蓝光波段,Al/SiO2合金温度在500～700 K时,反射率会...
关键词：退火 反射率 全方位反光镜结构 
表面粗化提高红光LED的光提取效率被引量：6
《固体电子学研究与进展》2008年第2期245-247,共3页刘思南 邹德恕 张剑铭 顾晓玲 沈光地 
北京市人才强教计划项目(批准号:05002015200504);北京市科委高效高亮度单芯片半导本照明器件的研发与产业化项目(批准号:D0404003040221)
介绍了通过出光表面粗糙化来减少全反射的方法,实验中使用化学湿法腐蚀的技术获得预计的粗糙形貌,结果给出不同参数下的光强和光辐射功率比较,器件的外量子效率得到了约29%的提高。从理论和测试结果两方面阐述了表面粗糙化对提高红光LE...
关键词：发光二极管 表面粗化 磷化镓 湿法腐蚀 取光效率 
大功率GaN基发光二极管的电流扩展效应及电极结构优化研究被引量：8
《物理学报》2008年第1期472-476,共5页沈光地 张剑铭 邹德恕 徐晨 顾晓玲 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902);北京市人才强教计划项目(批准号:05002015200504);国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2006AA03A121)资助的课题~~
定性分析了GaN基LED的电流扩展效应,发现电流密度和电流横向扩展的有效长度对电流均匀扩展有很大影响.基于此,对GaN基大功率LED提出了优化的电极结构,以减缓电流拥挤效应,降低器件串联电阻.通过用红外热像仪测量器件表面的温度分布,发...
关键词：氮化镓 发光二极管 电流扩展 电极结构优化 
透明导电ITO欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管被引量：7
《光电子．激光》2007年第5期562-565,共4页张剑铭 邹德恕 刘思南 朱彦旭 沈光地 
北京市人才强教计划资助项目(05002015200504);北京市科委资助项目(D0404003040221)
提出了一种透明导电氧化铟锡(ITO)欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺。在这个结构里,ITO还作为窗口层材料,增强电流扩展,并应用了高反射率的金属作为反光镜。用Au-Sn合金(Au∶Sn=8∶2,重量比)作为焊料,把带有金属...
关键词：ALGAINP 氧化铟锡(ITO) 薄膜发光二极管(LED) 发光强度 
电极结构优化对大功率GaN基发光二极管性能的影响被引量：5
《物理学报》2007年第10期6003-6007,共5页张剑铭 邹德恕 徐晨 顾晓玲 沈光地 
国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB604902);北京市人才强教计划项目(批准号:05002015200504);国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2006AA03A121)资助的课题~~
在台面结构的GaN基发光二极管(LED)里,电流要侧向传输,当尺寸与电流密度加大之后,由于n型GaN层和下限制层的横向电阻不能忽略,造成了横向电流分布不均匀.通过优化电极结构,以减小电流横向传输距离,制作出两种不同电极结构的大功率GaN基...
关键词：GAN 发光二极管 电极结构 大功率 
新型全方位反射铝镓铟磷薄膜发光二极管被引量：3
《物理学报》2007年第5期2905-2909,共5页张剑铭 邹德恕 刘思南 徐晨 沈光地 
北京市人才强教计划项目(批准号:05002015200504);北京市科委高效高亮度单芯片半导体照明器件的研发与产业化(批准号:D0404003040221)资助的课题~~
提出了一种新型全方位反射铝镓铟磷(AlGaInP)薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺,在这个结构里应用了低折射率的介质和高反射率的金属联合作为反光镜.用金锡合金(80Au20Sn,重量比)作为焊料把带有反光镜的AlGaInPLED外延片倒装键合到G...
关键词：铝镓铟磷 薄膜发光管 全方位反射镜 发光强度 
GaN基LED电流扩展对其器件特性的影响
《量子电子学报》2006年第6期872-875,共4页孙重清 邹德恕 顾晓玲 张剑铭 董立闽 宋颖娉 郭霞 高国 沈光地 
国家973计划(20000683-02);北京市教委项目(2002kj018);北京市科委重点项目(D0404003040221)
GaN基LED的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状N电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状N电极和普通电极进行了比较,在外加正向电流为20 mA时,...
关键词：光电子学 固态照明 环状N电极 总辐射功率 电流扩展 
GaN基蓝光大功率发光二极管的研制被引量：3
《激光与光电子学进展》2006年第8期41-43,共3页邹德恕 顾晓玲 孙重清 张剑铭 董立闽 郭霞 宋颖娉 沈光地 丁成隆 王新潮 
国家973计划(20000683-02);北京市教委项目(2002kj018);北京工业大学博士启动基金(kz0204200387);北京市科委重点项目(D0404003040221)资助课题。
采用一种自对准制造工艺和倒装芯片的装配技术,研制出GaN基蓝光大功率发光二极管(1mm×1mm)。其光学参数：总辐射功率143．19mW,光通量8．861m,发光效率7．291m/W,峰值波长462nm,半峰全宽24nm；其电学参数：正向电压3．47V、正向电流35...
关键词：大功率发光二极管 自对准 倒装 
硅腐蚀停止技术制备超薄硅膜中的分形现象被引量：2
《Journal of Semiconductors》2005年第1期67-71,共5页杨道虹 徐晨 董典红 张剑铭 阳启明 金文贤 沈光地 
北京市教委资助项目 (批准号 :KM2 0 0 3 10 0 0 5 0 0 9)~~
利用浓硼扩散腐蚀停止技术制备自由悬空硅薄膜时 ,在薄膜的表面观察到了呈分形生长的反应生成络合物聚集结构 .研究表明 ,薄膜表面的生成物的分形属于典型的有限扩散集团凝聚模型 ,其分形维数值约为 1 6 6 7.实验还发现 。
关键词：分形 扫描电镜 腐蚀停止 分形维数 
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