硅腐蚀停止技术制备超薄硅膜中的分形现象  

Fractal Phenomenon During Fabricating Ultrthin Silicon Membrane Using Etching-Stop

作　　者：杨道虹[1] 徐晨[1] 董典红[1] 张剑铭[1] 阳启明[1] 金文贤[1] 沈光地[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第1期67-71,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：北京市教委资助项目 (批准号 :KM2 0 0 3 10 0 0 5 0 0 9)~~

摘　　要：利用浓硼扩散腐蚀停止技术制备自由悬空硅薄膜时 ,在薄膜的表面观察到了呈分形生长的反应生成络合物聚集结构 .研究表明 ,薄膜表面的生成物的分形属于典型的有限扩散集团凝聚模型 ,其分形维数值约为 1 6 6 7.实验还发现 。A typical fractal phenomenon during fabricating handfree ultrthin silicon membrane by etching-stop is presented.The etching silicon resultant composes the fractal figure.The fractal figure agrees with the diffusion-limited-aggregation (DLA) model and the fractal dimension is about 1.667.The etched windows′ ratio of depth and width affects the forming figure of etching resultant and whether or not to aggregate.

关 键 词：分形 扫描电镜 腐蚀停止 分形维数 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]