高光提取效率的倒装GaN基LED的研究  

作　　者：达小丽[1] 沈光地[1] 徐晨[1] 邹德恕[1] 朱彦旭[1] 张剑铭[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京100124

出　　处：《中国科学（F辑:信息科学）》2009年第9期1021-1026,共6页

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB604902);北京市人才强教计划(批准号:05002015200504)资助项目

摘　　要：为了获得更高的光输出功率,采用倒装的结构.研究了p-GaN面生长金属高反镜前后GaN面的出光量.在p-GaN的表面上生长金属高反镜后,设计使用PECVD法在整个芯片上生长SiO_2/SiN_x多层介质膜高反镜,然后再腐蚀去除电极上的多层介质膜高反镜,使得倒装的GaN基LED台阶侧壁及p-GaN上没有覆盖金属高反镜的位置都保留有SiO_2/SiN_x多层介质膜高反镜.研究结果表明,生长两对SiO_2/SiN_x介质膜高反镜后,器件的光输出功率平均增加了10.2%.这说明SiO_2/SiN_x多层介质膜形成的高反镜有效的提高了倒装GaN基LED的光输出功率,把从LED台阶侧壁以及p-GaN上没有覆盖金属高反镜的位置出射光子反射回LED内部,经过一次或者多次反射后,从其他的出光面出射.

关 键 词：氮化镓 发光二极管 SiO₂/SiN_x 多层介质膜高反镜 等离子体增强 化学气相沉积 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]