Ag作催化剂制备的GaN的形貌及其性能  

Morphology and Performance of GaN with Catalyst Ag

作　　者：朱琳[1,2,3] 余春燕[1,2,3] 梁建[1,2,3] 马淑芳[1,2,3] 邵桂雪[1,2,3] 许并社[1,2,3] 

机构地区：[1]太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原030024 [2]山西省新材料工程技术研究中心,太原030024 [3]太原理工大学材料科学与工程学院,太原030024

出　　处：《无机化学学报》2013年第1期63-68,共6页Chinese Journal of Inorganic Chemistry

基　　金：国家自然科学基金(No.51002102);山西省回国留学人员重点科研(2009-03)资助项目

摘　　要：用化学气相沉积法(CVD)在Si(100)衬底上以Ag纳米颗粒为催化剂制备了微纳米结构的GaN,原料是熔融态的金属Ga和气态的NH3。采用X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、X-ray能谱仪(EDS)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、光致发光能谱(PL)和霍尔效应测试对样品进行了结构、成分、形貌和发光、电学性能分析。结果表明:生成的自组装GaN为六方纤锌矿的类似小梯子的微纳米单晶结构,且在不同的温度下,GaN的发光性能和电学性能也有所不同,相对于强的紫外发光峰,其它杂质发光峰很微弱,且均呈p型导电。对本实验所得到的GaN微纳米结构的可能形成机理进行了探讨。GaN micro/nanostructures were synthesized on Si （100） substrate with Ag nanoparticles as catalyst via chemical vapor deposition （CVD）. The raw materials are melting metal Ga and NH3 gas. The structure, composition, morphology and luminous property of GaN were analyzed by means of X-ray diffraction （XRD）, transmission electron microscopy （TEM）, energy dispersive X-ray spectroscopy （EDS）, field emission scanning electron microscopy （SEM）, Photoluminescence （PL） and Hall effect measurement respectively. The results show that the grown self-assemble hexagonal Wurtzite GaN nanostructures are single crystal nanoscale and micron grade small ladders. The optical and electrical properties of the grown GaN nanostructures are different. Relative to the strong ultraviolet light peak, other impurities photoluminescence peaks are weak, They ＂are p-type conductive. Furthermore, the possible formation mechanism of those GaN micro/nanostructures is discussed.

关 键 词：催化剂Ag CVD GaN微纳米结构 

分 类 号：O614.122[理学—无机化学] TN304.23[理学—化学]