溅射后退火簇状GaN纳米棒的生长及其镁的作用  

Fabrication of nanorods in cluster by ammoniating technique and the function of Mg

作　　者：艾玉杰[1] 薛成山[1] 孙莉莉[1] 孙传伟[2] 庄惠照[1] 王福学[1] 杨昭柱[1] 秦丽霞[1] 

机构地区：[1]山东师范大学半导体研究所,山东济南250014 [2]济南大学信息科学与工程学院,山东济南250022

出　　处：《功能材料》2007年第2期193-194,共2页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90201025);国家自然科学基金资助项目(90301002)

摘　　要：采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Mg薄膜，然后在1000℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米棒。通过扫描电镜（SEM）观察发现纳米棒的形貌，纳米棒的直径在200-600nm之间。我们对镁层的作用进行了简单探讨。GaN thin films were successfully prepared on the Si （111） substrates through ammoniating Ga2O3/Mg thin films deposited by magnetron sputtering. The results of XRD, XPS, SAED and HRTEM confirm that the as-grown films are single-crystal hexagonal GaN with wurtzite structure. We observed the morphology of GaN nanorods with the diameter ranging from 200 to 600nm by SEM. We discussed the function of the Mg middle layer briefly.

关 键 词：GAN 磁控溅射 纳米棒 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]