王敬蕊

作品数：4被引量：11H指数：2
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供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文主题：GAN纳米棒ZNO:GA光电特性溅射压强透明导电氧化物薄膜更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
发文期刊：《真空科学与技术学报》《Journal of Semiconductors》《材料科学与工程学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金国家重点基础研究发展计划教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
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氧化锌微米棒的微观生长过程被引量：2
《材料科学与工程学报》2009年第3期348-351,共4页王维维 朱丽萍 叶志镇 王敬蕊 杨叶锋 何海平 赵炳辉 
国家自然科学基金资助项目(50572095;50772099);浙江省自然科学基金资助项目(Y407183)
利用物理热蒸发方法在光滑的(111)硅衬底上生长氧化锌微米棒,生长温度为700℃。在硅衬底的不同区域由于生长环境不同,生成物的形貌也不相同。利用扫描电镜图可以很直观地推测出一个完整的氧化锌微米棒生长过程。透射电镜图片显示了纳米...
关键词：晶体外貌 外延生长 物理热蒸发 自组装 
GaN纳米棒的制备及机理研究被引量：6
《真空科学与技术学报》2009年第1期52-55,共4页王敬蕊 叶志镇 杨志祥 马全宝 姜静 胡少华 何海平 
国家自然科学基金项目(纳米)(No.50572095)
本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源,Ni(NO3)2作为催化剂,在Si(111)衬底上制得针尖状GaN纳米棒。测试结果表明制备的GaN纳米棒是沿<100>方向生长的纯六方相结构。通过对生长过程的分析,我们认为GaN纳米棒的生长过程不仅受到VLS...
关键词：Ni催化 GAN纳米棒 生长机制 
溅射压强对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期285-288,共4页马全宝 朱丽萍 叶志镇 何海平 王敬蕊 胡少华 赵炳辉 
国家自然科学基金(批准号:60276044,60340460439)和浙江省自然科学基金(批准号:Y405126)资助项目
通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的ZnO:Ga薄膜具有C轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明,ZnO:Ga...
关键词：ZNO:GA 透明导电氧化物薄膜 磁控溅射 光电特性 
AlN缓冲层对提高硅基GaN薄膜质量的作用机理及其研究进展被引量：2
《真空科学与技术学报》2006年第4期308-312,共5页王敬蕊 叶志镇 赵炳辉 朱丽萍 唐海平 
国家重点基础研究专项经费"973"资助(NO.G20000683-06);教育部留学回国人员启动基金;教外司留(No.20031406);浙江省自然科学基金(No.M503183)
AlN作为中间层可以有效提高硅基GaN的晶体质量。本文对于AlN作为形核层和插入层提高GaN晶体质量的机理进行分析和总结,并给出AlN的最佳生长条件。
关键词：Si基GaN ALN 综述 应力 位错 
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