AlN缓冲层对提高硅基GaN薄膜质量的作用机理及其研究进展  

Influence of AlN Buffer Layer on GaN Film Growth on Si(111) Substrates

作　　者：王敬蕊[1] 叶志镇[1] 赵炳辉[1] 朱丽萍[1] 唐海平[1] 

机构地区：[1]浙江大学硅材料重点实验室,杭州310027

出　　处：《真空科学与技术学报》2006年第4期308-312,共5页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：国家重点基础研究专项经费"973"资助(NO.G20000683-06);教育部留学回国人员启动基金;教外司留(No.20031406);浙江省自然科学基金(No.M503183)

摘　　要：AlN作为中间层可以有效提高硅基GaN的晶体质量。本文对于AlN作为形核层和插入层提高GaN晶体质量的机理进行分析和总结,并给出AlN的最佳生长条件。Mechanisms responsible for GaN film growth on Si（111） substrate covered with AlN buffer layers were tentatively reviewed, and the optimized GaN film growth conditions were discussed.

关 键 词：Si基GaN ALN 综述 应力 位错 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]