唐海平

作品数：8被引量：13H指数：2
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供职机构：宝鸡文理学院机电工程系更多>>
发文主题：ZNOSI衬底综合院校师范场发射更多>>
发文领域：一般工业技术电子电信理学电气工程更多>>
发文期刊：《无机材料学报》《科技信息》《材料导报》《宝鸡文理学院学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划浙江省自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金国家自然科学基金更多>>
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提高师范综合院校材料成型专业生产实习效果的思路
《黑龙江科技信息》2012年第34期209-209,211,共2页肖亚航 唐海平 赵迎祥 
宝鸡文理学院教改项目(JG11045)
分析了当前形势下师范综合院校中材料成型与控制工程本科专业生产实习的现状及存在问题。研究认为,应通过规范管理制度,建立结构合理的实习指导教师队伍,采用三结合模式,即实习指导校内与校外相结合、实习内容广度与深度相结合、实习地...
关键词：师范综合院校 材料成型与控制工程 本科专业 生产实习 
加强实验室建设确保工科专业教学质量被引量：1
《科技信息》2012年第34期63-63,65,共2页肖亚航 付士军 唐海平 
宝鸡文理学院教改项目(JG11045)
本文论述了师范综合院校中工科专业实验室建设在人才培养中的重要作用,分析了该类院校工科实验室建设存在的主要问题。提出工科专业实验室建设的思路为:提高认识、统一规划,加强实验室师资队伍建设,完善实验室管理制度,加强实验室硬件...
关键词：实验室建设 工科专业 教学质量 师范综合院校 
NbTi超导线材的研究与发展被引量：3
《材料导报》2010年第17期21-24,共4页马权 唐海平 陈自力 吴晓祖 
国家科技部973(2005CB724004)项目;宝鸡文理学院重点项目(ZK0804)
讨论了NbTi/Cu超导线材的应用范围及其特性,介绍了NbTi/Cu超导线材的传统制备工艺和人工钉扎中心制备工艺,以及这两种工艺生产的NbTi/Cu超导线材的临界电流密度和商业化生产NbTi/Cu超导线材对加工工艺的要求。NbTi/Cu超导线材是目前应...
关键词：NbTi/Cu 低温超导 人工钉扎中心 
ZnO纳米材料的p型掺杂研究进展被引量：5
《材料导报》2010年第15期44-46,共3页唐海平 马权 何海平 叶志镇 Park Ji-Yong 
国家科技部“973”项目(2006CB604906);宝鸡文理学院院级重点项目(ZK072)
随着近年来各种形貌ZnO纳米材料的生长及ZnO纳米器件的研究,ZnO纳米材料的p型掺杂逐渐成为研究的重点之一。主要介绍了ZnO纳米材料的p型掺杂及其器件研究进展,简要讨论了当前掺杂研究的局限,展望了今后的发展方向。
关键词：ZNO 纳米材料 P型掺杂 
纳米ZnO阵列场发射性能研究
《宝鸡文理学院学报（自然科学版）》2009年第4期19-23,共5页唐海平 叶志镇 PAR KJi-yong 
国家科技部"973"项目:半导体光电功能材料的基础研究(No.2006CB604906);宝鸡文理学院院级重点项目:ZnO纳米材料的生长研究(No.ZK072)
目的为了进一步提高ZnO纳米阵列的场发射性能指标。方法采用掺杂n型杂质元素Al和衬底预处理的方法生长ZnO纳米阵列,对相应样品的场发射性能进行比较分析。结果和结论采用Al掺杂和衬底镀Au处理均提高了ZnO纳米阵列场发射的性能,降低了阈...
关键词：ZNO 场发射 开启场强 阈值场强 
控制O_2流量生长结状ZnO微纳米棒及其特性研究
《无机材料学报》2007年第4期613-616,共4页李介胜 朱丽萍 唐海平 何海平 叶志镇 赵炳辉 
国家自然科学基金(50532060;50572095;60340460439);浙江省自然科学基金(Y405126)
采用热蒸发法以锌粉和二水醋酸锌作为源材料在Si(111)衬底上制备了高密度的ZnO微纳米棒,制得的每根ZnO棒明显分为直径不同的四段.利用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱和光致发光谱等测试手段对制备的样品进行了形貌、结构和光...
关键词：热蒸发 氧分压 结状 微纳米棒 
AlN缓冲层对提高硅基GaN薄膜质量的作用机理及其研究进展被引量：2
《真空科学与技术学报》2006年第4期308-312,共5页王敬蕊 叶志镇 赵炳辉 朱丽萍 唐海平 
国家重点基础研究专项经费"973"资助(NO.G20000683-06);教育部留学回国人员启动基金;教外司留(No.20031406);浙江省自然科学基金(No.M503183)
AlN作为中间层可以有效提高硅基GaN的晶体质量。本文对于AlN作为形核层和插入层提高GaN晶体质量的机理进行分析和总结,并给出AlN的最佳生长条件。
关键词：Si基GaN ALN 综述 应力 位错 
硅衬底GaN基LED研究进展被引量：2
《材料导报》2005年第1期97-100,共4页洪炜 朱丽萍 叶志镇 唐海平 倪贤锋 赵浙 
国家重点基础研究专项经费"973"资助(G20000683-06);教育部留学回国人员启动基金;教外司留[2003]406号;浙江省自然科学基金(M503183)
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,GaN/Si 基器件成为一个研究热点。然而,GaN 与 Si 之间的热失配容易引起薄膜开裂,这是限制 LED 及其它电子器件结构生长的一个关键问题。近年来...
关键词：LED 硅衬底 光电集成 GAN薄膜 电子器件 SI衬底 失配 研究进展 成方 近期 
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